CPH3326-TL-E 时间：2025/5/26 21:40:18 阅读：11

CPH3326-TL-E是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于各种电源管理、电机驱动以及负载开关等场景。其封装形式支持高效的散热性能，能够满足工业级和消费级电子产品的严格要求。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：160A
　　导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ（典型值）
　　总功耗(Ptot)：75W
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

CPH3326-TL-E具备出色的电气性能，具体表现为低导通电阻，从而减少功率损耗并提升系统效率。此外，该器件还拥有快速开关能力，可以有效降低开关损耗，并提供更高的动态响应速度。
　　其坚固耐用的设计使其能够在恶劣环境下稳定运行，同时支持多种保护功能，例如过流保护和热关断功能，进一步增强了系统的安全性。
　　由于采用了优化的封装结构，CPH3326-TL-E可以更高效地散发热量，从而延长使用寿命并确保长期稳定性。

应用

CPH3326-TL-E广泛应用于各类需要高电流和高效率的场景中，包括但不限于：
　　1. 服务器和通信设备中的电源管理模块。
　　2. 工业自动化系统中的电机驱动电路。
　　3. 汽车电子中的负载切换和DC-DC转换器。
　　4. 高端消费电子产品中的快速充电解决方案。
　　5. 大功率LED驱动器和光伏逆变器等新能源相关产品。