时间：2025/5/24 10:16:56
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201R07S3R6AV4T 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：201R07S3R6AV4T
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
201R07S3R6AV4T 具备卓越的电气特性和可靠性。
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，特别适合高电流应用。
2. 高额定漏极电流 (Id)，支持大功率电路设计。
3. 快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体效率。
4. 良好的热稳定性，在极端温度条件下仍能保持稳定性能。
5. 提供强大的短路耐受能力，增强系统的安全性与耐用性。
6. 小型封装设计，便于布局并节省PCB空间。
该芯片广泛适用于各种高效率电力电子设备。
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具、家用电器和工业自动化中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
5. 高频软开关拓扑结构中的关键器件。
201R07S3R6AV4G, IRF7846, FDP55N06L
