CPH3304/JD 时间：2025/9/21 5:30:44 阅读：10

CPH3304/JD 是一款由华润微电子推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关模式电源等场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点，适合在高效率、高密度电源系统中使用。CPH3304/JD 的封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，便于在紧凑型电路板设计中实现高集成度。该器件符合RoHS环保标准，适用于消费类电子产品、便携式设备及工业控制等领域。由于其优异的电气性能和可靠性，CPH3304/JD 在中小功率应用中表现出色，是许多设计师在替换传统三极管或继电器时的首选方案之一。此外，该型号具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了系统在恶劣工作环境下的鲁棒性。

参数

型号：CPH3304/JD
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.8A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：23A
　　导通电阻（Rds(on)）：16mΩ @ Vgs=10V, 17mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.3V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23

特性

CPH3304/JD 采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，这种结构能够在保持较小芯片尺寸的同时实现极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低导通损耗，提升整体能效。该器件在Vgs=10V条件下，Rds(on) 典型值仅为16mΩ，在Vgs=4.5V时也能达到17mΩ，表明其在低电压驱动条件下仍具备良好的导通能力，非常适合用于电池供电设备或由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。器件的阈值电压范围为1.0V至2.3V，确保了在不同温度和工艺波动下仍能稳定开启，避免误触发或无法导通的问题。
　　该MOSFET具备出色的开关特性，输入电容（Ciss）为450pF，栅极电荷（Qg）仅12nC，使得其在高频开关应用中能够快速响应，减少开关延迟和能量损耗。同时，较低的输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）有助于抑制寄生振荡，提高系统的电磁兼容性（EMC）。CPH3304/JD 还具备较强的热稳定性，其最大功耗为1W，在良好散热条件下可长期稳定运行。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应各种严苛环境下的应用需求。
　　在可靠性方面，CPH3304/JD 经过严格的质量控制流程，具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下承受一定能量而不损坏。此外，该器件还具有较强的静电放电（ESD）防护能力，提高了在生产、装配和使用过程中的安全性。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且引脚间距合理，焊接良率高，适合大规模量产。综合来看，CPH3304/JD 凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电子系统中理想的功率开关元件。

应用

CPH3304/JD 广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源，该器件常被用作负载开关、电池充放电控制或LED背光驱动，凭借其低导通电阻和小封装优势，有效延长电池续航时间并节省PCB空间。在电源管理系统中，它可用于同步整流、DC-DC转换器的高端或低端开关，特别是在Buck降压电路中表现优异，能够显著降低能量损耗，提高转换效率。
　　在电机驱动领域，CPH3304/JD 可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低边开关控制电机正反转和启停。由于其支持高达5.8A的连续漏极电流和23A的脉冲电流，能够满足短时大电流冲击的需求，适用于玩具、电动工具和家用小家电等产品。此外，在各类开关电源（SMPS）中，该器件也可作为次级侧同步整流管使用，替代传统的肖特基二极管，进一步提升电源效率。
　　工业控制和自动化设备中，CPH3304/JD 常用于传感器电源管理、继电器驱动、LED指示灯控制等场合。其宽温工作范围和高可靠性使其能够在工业环境下长期稳定运行。同时，由于其符合RoHS标准且不含铅，满足现代电子产品对环保的要求，因此也广泛应用于绿色能源设备、智能照明系统和物联网终端设备中。总之，凡是需要小型化、高效率、高可靠性的N沟道MOSFET开关的场合，CPH3304/JD 都是一个极具竞争力的选择。