型号：CPH3107
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：6.8A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：27A
　　导通电阻RDS(on)：15mΩ（@VGS=10V）；18mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容Ciss：680pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：290pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间trr：典型值16ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装：SOT-23

CPH3107采用先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构能够在单位面积内实现更高的沟道密度，从而显著降低导通电阻RDS(on)，提升器件的整体效率。在VGS=10V条件下，其RDS(on)低至15mΩ，这使得在大电流工作状态下功耗更小，有助于提高电源系统的转换效率并减少散热需求。同时，该器件在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的导通电阻（18mΩ），适应于使用逻辑电平信号直接驱动的应用场景，例如由微控制器GPIO口控制的小功率开关电路。
　　该器件具有优异的开关特性，输入和输出电容较小（Ciss=680pF，Coss=290pF），使其在高频开关应用中表现出色。低电容意味着更少的栅极充电能量消耗，从而降低了动态损耗，提升了系统的工作频率上限。此外，较短的反向恢复时间（trr=16ns）减少了体二极管在开关过程中的反向恢复电荷，抑制了电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统稳定性和安全性。
　　CPH3107具备良好的热性能和可靠性，其最大工作结温可达150℃，可在严苛环境下长期稳定运行。内置的快速体二极管可有效处理感性负载关断时产生的反向电流，适用于电机驱动、继电器控制等存在反电动势的场合。器件还具备较高的dv/dt抗扰能力，减少误触发风险。SOT-23封装不仅节省空间，而且热阻相对较低，有利于热量传导至PCB进行散热。
　　从制造角度看，CPH3107遵循严格的品质控制标准，通过了多项可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试等，确保在批量应用中的稳定性与一致性。作为国产功率器件的代表之一，它在支持国产替代、保障供应链安全方面具有重要意义。

CPH3107广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关或电池供电切换，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的电源路径管理模块。其低导通电阻和小封装特性非常适合这类对功耗和空间要求极为严格的应用。
　　在DC-DC转换器中，CPH3107可用于同步整流拓扑或Buck变换器的下管开关，利用其低RDS(on)减少导通损耗，提高电源效率。尤其在低压大电流输出的电源设计中，该器件能够有效降低温升，提升整体能效表现。
　　工业控制领域中，CPH3107常用于驱动小型继电器、LED灯串、步进电机或风扇等负载。其快速开关能力和耐受一定浪涌电流的特性，使其能够胜任频繁启停的控制任务。此外，在通信设备的电源模块、智能家居控制系统以及USB充电管理电路中也有广泛应用。
　　由于其SOT-23封装易于手工焊接和自动化生产，也受到原型开发和小批量生产的工程师青睐，是实验室验证和产品试制阶段的理想选择。

AO3400
　　Si2300DS
　　FDS6670A
　　AP2300GN