型号：CPH3102
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：5.7A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：22A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：14mΩ @ VGS=10V, ID=3A
　　RDS(on) 测试条件1：18mΩ @ VGS=4.5V, ID=3A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　栅极电荷（Qg）：6.8nC @ VDS=15V, ID=2.85A
　　输入电容（Ciss）：400pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：130pF
　　反向恢复时间（trr）：19ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

CPH3102采用先进的TrenchFET工艺技术，这种结构通过在硅基底上形成垂直沟道来显著提升单位面积的载流子迁移率，从而实现更低的导通电阻和更高的电流承载能力。其典型的RDS(on)仅为14mΩ（在VGS=10V时），这使得器件在导通状态下功耗极低，特别适用于对能效要求较高的电池供电设备和DC-DC转换电路。同时，在VGS=4.5V的工作条件下，RDS(on)仍可保持在18mΩ左右，表明该器件即使在较低的驱动电压下也能维持良好的性能，兼容3.3V或5V逻辑电平控制系统。
　　该MOSFET具有非常低的栅极电荷（Qg=6.8nC）和输入电容（Ciss=400pF），这意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，有助于降低控制器的负担并减少开关过程中的动态损耗。这对于提高开关电源的效率至关重要，尤其是在同步整流或高频率PWM调光等应用场景中表现尤为突出。此外，较低的输出电容（Coss=130pF）也有助于加快关断速度，减少关断延迟和尾电流现象。
　　CPH3102具备快速的开关响应能力，反向恢复时间（trr）仅为19ns，配合其低寄生参数，能够有效抑制体二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。这一特性对于桥式电路或存在感性负载的应用尤为重要，可以提升系统的稳定性和可靠性。器件的最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流可达5.7A，结合其优良的热阻特性，能够在有限的空间内处理相对较大的功率负荷。
　　该器件还内置了一定程度的雪崩能量保护能力，能够在遭遇瞬态过压事件时吸收一定的能量而不致损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其可在严苛环境温度下稳定运行。SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴装，而且引脚排列标准，易于替换和布局布线，是消费类电子、工业控制模块和通信设备中常用的封装形式之一。

CPH3102因其优异的开关特性和紧凑的封装，被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理单元，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池切换电路。在这些应用中，CPH3102用于控制不同电源路径的通断，实现节能待机模式或多电源之间的无缝切换。
　　在DC-DC转换器中，特别是降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中，CPH3102常作为同步整流开关使用，替代传统的肖特基二极管以降低导通损耗，从而显著提升转换效率。其低RDS(on)和快速开关能力使其在高频率操作下依然保持良好性能，适用于小型化电源模块和嵌入式电源系统。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为低端开关，提供精确的电流控制和快速响应。在LED驱动领域，CPH3102可用于PWM调光控制，利用其快速开关特性实现亮度的精细调节而不会产生明显的闪烁或延迟。
　　工业控制方面，CPH3102可用于传感器供电开关、继电器驱动、I/O端口保护等场合，发挥其高可靠性和长寿命的优势。由于其符合RoHS和无卤素要求，也适用于医疗设备、汽车电子外围模块和智能家居产品等对环保和安全性有严格要求的领域。总的来说，凡是在低压、中小功率范围内需要高效开关功能的场景，CPH3102都是一个极具竞争力的选择。

SI2302DDS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDD39AP