型号：CPB8216-0210
　　器件类型：SiC MOSFET功率模块
　　最大漏源电压(VDS)：1200V
　　连续漏极电流(ID)：80A
　　导通电阻(RDS(on))：21mΩ
　　封装类型：双列直插式封装（Dual Inline Package）
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　热阻(RthJC)：0.32°C/W
　　最大功率耗散：300W

CPB8216-0210 模块具备多项卓越特性。首先，其采用了先进的SiC技术，相较于传统的硅基IGBT模块，具备更低的开关损耗和更高的工作频率能力，从而提升整体系统效率。其次，模块的双列直插式封装设计使其易于安装和散热管理，适合高功率密度的设计需求。此外，模块的低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提升系统能效。
　　该模块还具备良好的热管理性能，其低热阻（RthJC为0.32°C/W）确保了模块在高功率运行下的稳定性和可靠性。在工作温度范围方面，模块支持从-55°C到175°C的宽温域运行，适用于各种严苛的工作环境。最后，CPB8216-0210模块的设计符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对环保材料的要求。

CPB8216-0210 主要应用于高功率、高效率的电力电子系统中。例如，在工业电机驱动领域，该模块可用于高性能逆变器，提供高效的电能转换和稳定的电机控制。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电变流器，CPB8216-0210的高效能特性有助于提升系统的整体能效和可靠性。此外，该模块也适用于电动汽车充电设备，如直流快充桩，能够在高功率输出下保持较低的损耗和良好的热稳定性，确保充电系统的高效运行。
　　在储能系统和不间断电源（UPS）等领域，CPB8216-0210同样表现出色，能够支持高频开关操作，减少能量损耗并提高系统响应速度。由于其优异的电气和热性能，该模块也被广泛用于各类高功率测试设备和工业自动化控制系统中。

CMF20120D、C3M0065065K、CPB8216-0200