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CP90-VF480-4TR 发布时间 时间:2025/8/12 6:21:01 查看 阅读:21

CP90-VF480-4TR 是一款由 CEL(California Eastern Laboratories)生产的射频(RF)晶体管,主要用于高频率应用中的功率放大。该晶体管基于砷化镓(GaAs)技术,适合于无线基础设施、通信设备和射频模块设计。CP90-VF480-4TR 是一种增强型横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,适用于高线性度和高效率的应用场景。

参数

类型:LDMOS 射频功率晶体管
  工作频率:2.3 GHz 至 2.7 GHz
  输出功率:典型值为 90 W(连续波)
  增益:约 17 dB
  效率:约 40%
  封装类型:表面贴装(Surface Mount)
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C
  电源电压:28 V 典型值
  输入阻抗:50 Ω 匹配

特性

CP90-VF480-4TR 的主要特性之一是其在2.3 GHz至2.7 GHz频率范围内的高效能表现,使其适用于现代无线通信系统。该晶体管采用了先进的GaAs LDMOS技术,提供了高线性度和高功率密度。此外,其高效率特性降低了功耗并减少了散热需求,从而提高了系统的可靠性。
  该器件的输入端已经内部匹配到50Ω,简化了外部电路设计并降低了整体系统成本。CP90-VF480-4TR的封装设计考虑了散热性能,确保在高功率工作条件下的稳定性。此外,该晶体管具有良好的热稳定性和机械稳定性,能够在恶劣的工作环境中保持性能不变。
  另一个关键特性是其宽工作温度范围(-65°C至+150°C),这使得该晶体管适用于各种极端环境下的应用,如户外基站、工业设备和军事通信系统。

应用

CP90-VF480-4TR 主要应用于无线基础设施,如4G LTE基站、微波通信设备和射频功率放大器模块。由于其在2.3 GHz至2.7 GHz频段的优异性能,它也适用于Wi-Fi 5/6扩展器、点对点通信系统和工业自动化设备中的射频发射模块。此外,该晶体管还可用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大。

替代型号

推荐的替代型号包括:
  ? Freescale Semiconductor 的 MRFE6VS90N
  ? NXP Semiconductors 的 BLF974P
  ? STMicroelectronics 的 STD120N3LLH6

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