PSMN4R4-80BS 时间：2025/9/15 1:25:36 阅读：14

PSMN4R4-80BS是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用。该器件采用了先进的Trench工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理、电池充电系统和电机控制等应用。该MOSFET采用标准的SMD封装形式，便于自动化生产与散热管理。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：80V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：150A @ 100°C
　　导通电阻(Rds(on))：4.4mΩ @ Vgs=10V
　　功耗(Pd)：140W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：LFPAK56(E) / Power-SO8

特性

PSMN4R4-80BS具有多项高性能特性，使其在功率MOSFET市场中占据一席之地。
　　首先，该器件采用Nexperia的Trench MOSFET工艺，确保了极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其典型的Rds(on)值为4.4mΩ，适用于高电流、高效率要求的电源设计。
　　其次，该MOSFET具备出色的热管理能力。其封装结构优化了热阻，使得在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，延长了器件寿命并提高了系统可靠性。
　　此外，PSMN4R4-80BS支持高达150A的连续漏极电流，适用于高功率密度应用，如服务器电源、DC-DC转换器、工业电机控制和电动车辆系统。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±20V，适用于常见的10V或12V栅极驱动器，兼容性强，易于集成到各种电路中。
　　最后，PSMN4R4-80BS符合RoHS标准，并具备高雪崩能量耐受能力，增强了其在极端工作环境下的稳定性。

应用

PSMN4R4-80BS主要应用于需要高效、高功率开关的场合。例如，在电源管理系统中，该器件可以作为DC-DC转换器的主开关，实现高效的电压调节。在电动工具和电动车辆中，该MOSFET可用于电机驱动电路，提供快速响应和稳定的电流控制。
　　此外，该MOSFET在服务器电源、电信设备、不间断电源（UPS）以及电池管理系统中也得到了广泛应用。由于其优异的导通特性和热性能，该器件特别适合用于需要长时间高负载运行的工业控制设备。
　　在消费类电子产品中，如大功率LED驱动、高功率适配器等应用中，PSMN4R4-80BS也能提供可靠的性能支持。