COS9061TR是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于功率管理领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,适合用于电源适配器、充电器、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该型号为N沟道增强型MOSFET,能够有效降低系统功耗并提高整体效率。
类型:N沟道增强型MOSFET
封装形式:TO-252/DPAK
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):32A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
总电荷(Qg):28nC
输入电容(Ciss):1740pF
输出电容(Coss):330pF
反向传输电容(Crss):80pF
工作温度范围:-55℃ to +150℃
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流承载能力,满足大功率应用需求。
3. 快速开关特性,支持高频操作,减少开关损耗。
4. 优秀的热稳定性设计,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 小型化封装,便于在紧凑空间内布局,适合现代电子设备对小型化的要求。
6. 内置保护机制,提供过流和短路保护功能,增加产品的安全性与可靠性。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 各类充电器和适配器中用作主功率器件。
3. DC-DC转换器及负载点(POL)转换模块。
4. 电机驱动电路中的功率级组件。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
6. 其他需要高效功率转换和开关的应用场景。
CSD18536Q5A, IRFZ44N, FDP5500