电容值：0.022μF (22nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R (-55°C ~ +125°C)
　　封装尺寸：0805 (2.0mm x 1.2mm)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　电介质材料：Class II (Barium Titanate-based)
　　直流电阻（DCR）：低
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C×V ≥ 10000MΩ·μF
　　老化率：约2.5%每十年（典型值）
　　结构类型：多层片式陶瓷电容器
　　端接类型：镍阻挡层/锡铅或无铅可焊端子（根据批次）
　　符合标准：RoHS, AEC-Q200

CNF41R223S-TM所采用的X7R陶瓷介质赋予了它优异的温度稳定性和较宽的工作温度范围，能够在-55°C到+125°C之间保持电容值的变化控制在±15%以内，这使得它非常适合用于对温度波动敏感的应用场景，如汽车电子、工业控制设备以及户外通信模块等。相较于Y5V或Z5U等低稳定性介质，X7R材料在温度变化下的电容保持率更高，能够提供更加可靠的电路性能。
　　此外，该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和良好的高频响应特性，使其在电源去耦和噪声滤波方面表现出色。在高速数字电路中，多个此类电容常被并联布置于IC电源引脚附近，用以吸收瞬态电流波动，抑制电压尖峰，从而提高系统的稳定性与抗干扰能力。由于其0805封装尺寸兼顾了焊接可靠性与板空间利用率，既适合手工维修也适用于大规模SMT贴装工艺，因此在各类PCB设计中广泛应用。
　　CNF41R223S-TM还具备较高的机械强度和抗热冲击能力，经过优化的内部叠层结构减少了微裂纹风险，在回流焊过程中表现稳定。同时，其符合AEC-Q200车规标准，意味着该器件已经通过严格的环境应力测试（包括温度循环、高温高湿偏置、耐久性试验等），可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块、车身控制单元等对可靠性要求极高的场合。
　　值得一提的是，尽管它是Class II介质电容，存在一定的电压系数效应（即施加直流偏压时电容值会下降），但在50V额定电压下使用于3.3V、5V或12V系统时，实际电容衰减较小，仍能有效发挥滤波作用。总体而言，这款MLCC在性能、尺寸、成本和可靠性之间实现了良好平衡，是工程师在进行通用电路设计时的优选器件之一。

CNF41R223S-TM多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要稳定电容性能和较高可靠性的场合。在电源管理系统中，它常被用作DC-DC转换器输入输出端的滤波电容，有效平滑电压波动，降低纹波噪声，提升电源效率。在微处理器和FPGA等数字集成电路的供电网络中，该电容作为去耦元件，能够快速响应瞬态负载变化，防止因电流突变引起的电压跌落，保障芯片正常运行。
　　在模拟信号链路中，例如运算放大器、ADC/DAC前端电路，CNF41R223S-TM可用于信号耦合与旁路，帮助隔离直流分量并传递交流信号，同时抑制高频干扰。其稳定的X7R特性确保在不同工作环境下信号通路的一致性，减少因温度漂移带来的测量误差。
　　在工业自动化设备、PLC控制器、传感器接口模块中，该电容用于抗干扰设计和电源稳压，增强系统在恶劣电磁环境中的鲁棒性。此外，在通信设备如路由器、交换机和基站模块中，它也被用于时钟线路和数据通道的噪声抑制，提升信号完整性。
　　得益于其通过AEC-Q200认证，CNF41R223S-TM在汽车电子领域同样有广泛应用，包括车载娱乐系统、仪表盘显示驱动、ECU（电子控制单元）、摄像头模组和LED照明电源等。这些应用场景通常面临剧烈的温度变化和振动条件，而该电容的机械强度和温度稳定性恰好满足此类需求。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能家居控制器和可穿戴设备中，该器件因其小型化、高可靠性和成本优势，成为常见的被动元件选择。无论是用于射频模块的旁路还是电源轨的本地储能，CNF41R223S-TM都能提供稳定的电气支持，确保终端产品的长期稳定运行。

GRM21BR71H223KA01L
　　CL21A223KAQNNNE
　　C2012X7R1H223K
　　EMK212BJ223KG-L