电容值：220pF
　　容差：±0.1pF 或 ±0.25pF（依据具体规格）
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：C0G / NP0
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　温度系数：0±30ppm/℃
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 R×C时间常数≥1000S
　　最大纹波电流：依据应用条件而定
　　ESR（等效串联电阻）：极低，典型值在毫欧级别
　　ESL（等效串联电感）：极低，适合高频应用
　　包装形式：卷带包装（Tape and Reel）

CNF41C221S-TP所采用的C0G（即NP0）陶瓷介质材料赋予了该电容器卓越的温度稳定性与电气性能一致性。C0G材料是一种Class I类型的陶瓷，具有几乎线性的温度响应特性，其电容值在-55℃至+125℃的工作温度范围内变化不超过±30ppm/℃，这意味着无论环境温度如何波动，电容器的实际容量几乎保持恒定，不会因温度漂移导致电路性能下降。这一特性使其特别适用于对频率稳定性要求极高的振荡电路、谐振回路、滤波器以及精密模拟信号处理场合。
　　此外，该电容器具备极低的介电损耗（tanδ ≤ 0.15%），这不仅减少了能量损耗，也避免了在高频工作条件下产生过多热量，从而提高了系统的整体效率和长期运行的可靠性。由于C0G材料本质上是非铁电性的，因此不存在老化现象，电容值不会随着时间推移而衰减，也不受电压应力的影响——即使施加接近额定电压的直流偏压，其有效电容仍能维持标称值，这一点显著优于X7R、Y5V等高介电常数但非线性响应的陶瓷材料。
　　在结构设计方面，0402小型化封装使得CNF41C221S-TP非常适合高密度PCB布局需求，在空间受限的应用中极具优势。同时，表面贴装形式便于自动化贴片机快速安装，提升生产效率并降低组装成本。产品经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压试验（HAST）、温度循环测试（TCT）和可焊性评估，确保在恶劣环境下依然稳定工作。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅及其他有害物质，满足现代绿色电子产品制造的要求。

CNF41C221S-TP因其出色的稳定性、低损耗和小尺寸，被广泛应用于多种高性能电子系统中。在射频（RF）电路设计中，它常用于LC谐振回路、匹配网络和滤波器构建，确保信号频率精确且不受温度影响；在时钟发生器与晶体振荡器电路中，作为负载电容使用时能够保证振荡频率的高度准确性和长期稳定性，防止时序偏差造成系统故障。
　　在模拟前端（AFE）和数据转换器（ADC/DAC）周边电路中，该电容可用于去耦、旁路和噪声抑制，尤其是在高精度测量仪器、医疗设备和音频处理系统中，有助于提升信噪比和动态范围。在电源管理系统中，尽管其容量较小，但仍可用于高频开关电源输出端的局部去耦，有效滤除高频噪声，保障敏感电路的供电纯净。
　　此外，该器件也适用于汽车电子控制系统，如发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统和ADAS传感器模块，在宽温域和振动环境中表现出优异的耐久性。在工业自动化设备、PLC控制器、无线通信模块（Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）以及便携式消费电子产品（智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中，CNF41C221S-TP均发挥着关键作用，确保电路在各种复杂工况下的可靠运行。