CMZ5382B TR13 是一款由 Central Semiconductor 制造的表面贴装双极性晶体管(BJT),采用 NPN 配置。该器件设计用于高频率和中等功率应用,如射频(RF)放大器、开关电路和音频放大器。CMZ5382B TR13 采用 SOT-23 封装,适合空间受限的高密度 PCB 设计。
晶体管类型:NPN
集电极-发射极电压(Vceo):40V
集电极-基极电压(Vcbo):50V
发射极-基极电压(Vebo):5V
集电极电流(Ic):100mA
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
增益带宽积(fT):100MHz
电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
CMZ5382B TR13 是一款性能优异的 NPN 晶体管,适用于高频和中等功率的应用场景。该器件在设计上采用了先进的硅外延平面技术,确保了良好的高频响应和稳定的电流放大性能。其最大增益带宽积达到 100MHz,使其适用于射频(RF)和音频放大器电路。CMZ5382B TR13 的电流增益 hFE 在不同等级下可以达到 110 到 800 之间,用户可以根据具体需求选择合适的增益等级,以满足不同的电路设计要求。
此外,该晶体管具有较高的集电极-发射极电压(Vceo)为 40V,集电极-基极电压(Vcbo)为 50V,发射极-基极电压(Vebo)为 5V,能够承受一定的电压应力,适用于多种放大和开关电路。CMZ5382B TR13 的最大集电极电流为 100mA,功耗为 300mW,适合用于中低功率的电子设备中。
封装方面,CMZ5382B TR13 使用 SOT-23 封装,这是一种小型化的表面贴装封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于自动贴片和回流焊工艺,适合用于高密度 PCB 设计。该封装也提供了良好的电气连接性能和散热能力,确保器件在工作时保持稳定。
CMZ5382B TR13 主要用于需要高频响应和中等功率处理能力的电路中。其典型应用包括射频(RF)放大器、音频放大器、低噪声前置放大器、开关电路、电压调节器、信号处理电路等。此外,该晶体管也常用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子系统中。
BCX70G、2N3904、MPS2222、2N2222A、PN2222A