时间：2025/7/31 19:15:37
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CMV104D 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及各种功率控制电路中。该器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适合在高效率和高可靠性的应用中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
最大漏极电流（Id）：8 A
导通电阻（Rds(on)）：0.35 Ω（最大值，典型值 0.25 Ω）
功率耗散（Ptot）：40 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
CMV104D 的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该器件具有良好的热稳定性，能够在高功率条件下稳定工作。其高耐压能力（100V）使其适用于多种中高压功率转换应用。CMV104D 还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，并支持高频操作。此外，TO-220 封装提供了良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和使用。
该 MOSFET 还具有优异的雪崩能量承受能力，能够在瞬态条件下提供额外的保护。其栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路设计，简化了外围电路的设计复杂度。此外，CMV104D 的制造工艺符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。
CMV104D 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、电机控制电路、负载开关以及各种中高功率电子设备中。由于其高耐压和良好的导通性能，它也适用于汽车电子、工业自动化、照明控制和消费类电子产品中的功率管理应用。在这些系统中，CMV104D 可作为主开关器件或同步整流器使用，提供高效的能量转换和可靠的运行性能。
IRF540N, FDPF5N50, STP8NK50Z
