CMR1U-01M 是由 IXYS 公司生产的一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块,属于功率半导体器件。该模块采用CMR(Chip-Mounted Rectifier)技术,结合了MOSFET与整流二极管的封装结构,适用于高频率、高效率的开关电源应用。CMR1U-01M 是一款集成化的功率模块,能够有效减少外围元件数量,提高系统可靠性,并简化电路设计。其主要特点包括低导通电阻、高电流能力和良好的热性能。
类型:MOSFET + 整流二极管模块
最大漏源电压(VDS):100V
最大漏极电流(ID):180A
导通电阻(RDS(on)):典型值为 1.2mΩ
最大工作温度:150°C
封装形式:TO-247AC
二极管额定电流:30A
二极管正向压降:1.2V(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
CMR1U-01M 的核心特性在于其集成了一个N沟道MOSFET和一个高速整流二极管,这种结构特别适用于同步整流拓扑中,如DC-DC转换器和隔离式电源。MOSFET部分具有极低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提高整体能效。模块采用先进的封装技术,具备良好的热传导性能,能够在高负载条件下保持稳定运行。此外,该模块具有较高的短路耐受能力,增强了系统的鲁棒性。其高速开关特性适用于高频率开关应用,减少了开关损耗和电磁干扰(EMI)。
该模块还具备优异的可靠性,适用于严苛的工作环境。其封装材料符合RoHS环保标准,适合工业级和汽车级应用。CMR1U-01M 的模块化设计也有助于简化PCB布局,减少寄生电感,提高系统稳定性。
CMR1U-01M 广泛应用于各类高效率电源系统中,包括但不限于:
? 高频DC-DC转换器
? 同步整流电源模块
? 服务器电源和通信设备电源
? 电动车充电系统
? 工业自动化和电机控制电源
? 太阳能逆变器和储能系统电源模块
该模块适用于需要高电流密度和高效能的电源设计,尤其适合空间受限、散热要求高的应用场景。
IXYS IXFN180N10T2
Infineon Technologies IPA180N10N3G
STMicroelectronics STD180N10F7
ON Semiconductor NVTFS5C471NLTK