时间：2025/9/14 13:45:12
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BUK72150-55A,118 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高性能的功率开关器件。该器件主要用于需要高效能、低导通电阻和高可靠性的电源管理系统中。其主要特点是具备低导通电阻（RDS(on)）以及高电流承载能力，适用于开关模式电源（SMPS）、电机控制和负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A（Tc=25°C时）
漏极-源极击穿电压（VDS）：55V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
功耗（Ptot）：195W
BUK72150-55A,118 具备一系列高性能特性，使其在各种功率管理应用中表现出色。首先，其非常低的导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这对于高功率密度的电源系统尤为重要。
其次，该MOSFET采用了先进的硅技术，结合了高电流处理能力和出色的热性能。TO-263（D2PAK）封装设计有助于快速散热，确保器件在高负载条件下依然能够稳定运行。
此外，该器件具备较高的栅极电压容限（±20V），允许在驱动电路设计中具有更大的灵活性，并能有效防止过压损坏。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使得该器件能够在极端环境条件下可靠工作，例如汽车电子和工业控制系统。
另一个重要特性是其优化的开关性能，能够降低开关损耗，从而进一步提高效率并减少对额外散热措施的需求。这种特性在高频开关应用中尤为重要，例如DC-DC转换器和电机驱动系统。
最后，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，可以在非正常工作条件下提供额外的保护，从而提高系统的整体可靠性。
BUK72150-55A,118 广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，该器件被用作主开关器件，以实现高效能的能量转换，适用于服务器电源、电信电源和电源适配器等应用。
在电机控制领域，该MOSFET可用于驱动直流电机或步进电机，特别是在电动工具、电动车和自动化设备中，其低导通电阻和高电流能力可显著提升系统效率和响应速度。
此外，该器件适用于负载开关和电源管理模块，例如电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和储能系统。由于其优异的热性能和稳定性，BUK72150-55A,118 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。
在工业自动化设备中，如可编程逻辑控制器（PLC）和工业变频器，该MOSFET用于高效能功率切换和负载控制。其高可靠性和耐久性使其成为这些严苛应用环境的理想选择。
IRF1405, STP150N55F3AG, IPW90R120C3
