CMPA801B025D 时间：2025/9/11 7:32:29 阅读：35

CMPA801B025D 是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的高功率碳化硅（SiC）金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为高效率、高频率和高功率应用设计，适用于电力电子转换系统，如电动汽车充电器、太阳能逆变器、工业电源和储能系统。SiC MOSFET相比传统硅基MOSFET和IGBT，具有更低的导通损耗和开关损耗，更高的热导率以及更高的工作温度能力，因此在高性能电力电子系统中具有显著优势。

参数

类型：碳化硅（SiC）MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　漏极电流（Id）：25A
　　导通电阻（Rds(on)）：170mΩ
　　栅极电荷（Qg）：87nC
　　反向恢复电荷（Qrr）：0nC
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　引脚数：3（标准TO-247）

特性

CMPA801B025D 采用先进的碳化硅技术，具备卓越的电气和热性能。其高击穿电压（800V）使其适用于中高压应用，同时25A的连续漏极电流能力确保其在高功率密度系统中的可靠性。
　　该器件的导通电阻仅为170mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。与传统硅基IGBT相比，SiC MOSFET的零反向恢复电荷（Qrr）特性使其在高频开关应用中表现优异，大幅减少了开关损耗并降低了电磁干扰（EMI）。
　　此外，CMPA801B025D 具有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，提升了系统的可靠性和寿命。其简单的栅极驱动要求（通常为0~20V）使得与标准MOSFET驱动器兼容，降低了设计复杂度。
　　该MOSFET的封装形式为TO-247，具有广泛的应用兼容性，并便于散热设计。其三引脚配置支持通用的功率模块布局，适用于各种拓扑结构，如降压、升压、半桥和全桥电路。

应用

CMPA801B025D 适用于多种高功率和高频率的电力电子应用，包括但不限于：电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、快速充电站、太阳能光伏逆变器、储能系统（ESS）、工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及功率因数校正（PFC）电路等。其高效率和高频操作能力使其成为传统硅基IGBT和MOSFET的理想替代品，有助于实现更小、更轻、更高效的电源系统。