型号：CMPA0060025D
　　类型：SiC 功率MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：600V
　　最大漏极电流(ID)：25A
　　导通电阻(RDS(on))：约25mΩ
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　栅极电压范围：-10V 至 +20V
　　功耗(PD)：150W
　　热阻(RθJC)：约0.35°C/W

CMPA0060025D具有出色的导热性能和较低的热阻，使其在高功率密度应用中表现出色。由于采用碳化硅材料，其具备优异的高温稳定性，能够在较高的温度下稳定运行而不会显著影响性能。此外，该器件具有极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。该MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频率开关电路，从而减小外围电感和电容的尺寸，提高系统的整体紧凑性。此外，其坚固的封装设计和宽广的工作温度范围，使其在恶劣工业环境中依然保持稳定的性能。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，增强了系统在异常情况下的可靠性。此外，其栅极氧化层设计优化，提高了器件的栅极稳定性和寿命，降低了因栅极失效而导致的系统故障风险。在高频应用中，该器件的低开关损耗特性可以显著减少能量损耗，提高电源转换效率，适用于逆变器、DC-DC转换器、PFC电路等多种应用场景。

CMPA0060025D广泛应用于电动汽车（如车载充电器、DC-DC转换器和电机驱动器）、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）、工业电源设备（如不间断电源UPS和高频电源模块）、以及需要高效能功率转换的各类电力电子设备。其优异的热管理和高频性能使其成为高功率密度系统的理想选择，适用于对效率和可靠性要求较高的现代电力电子系统。

C3M0060065J, SCT3040KL, SiC MOSFET 600V 25A 系列