时间：2025/6/29 3:46:38
阅读：4
CMP80N03是一款基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET晶体管，具有高开关频率、低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于高频功率转换应用，例如开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。其额定电压为80V，能够满足中低压功率系统的需求，同时提供卓越的热性能和可靠性。
这款碳化硅MOSFET的主要优势在于它能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗，从而提升整体系统的效率。此外，碳化硅材料的使用还使得器件具备更好的耐高温特性和更小的尺寸。
额定电压：80V
最大电流：25A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：无（由于SiC材料特性）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 高效的开关性能，降低系统功耗。
2. 使用碳化硅材料，提供更高的耐温能力与更小的体积。
3. 极低的导通电阻（Rds(on)），减少传导损耗。
4. 高频操作支持，适合现代高效能功率转换需求。
5. 无反向恢复电荷，进一步优化开关效率。
6. 稳定的电气和机械性能，延长产品使用寿命。
7. 宽泛的工作温度范围，适应极端环境下的应用需求。
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关。
2. DC-DC转换器模块，用于电动汽车或工业控制设备。
3. 太阳能逆变器中的高频开关元件。
4. 电机驱动系统中的功率级组件。
5. 充电器和适配器中的高效功率管理部分。
6. UPS不间断电源系统的功率转换部分。
C2M0080065D
STPSC80H6
FDMF8010
