容量：64 Mbit
　　组织结构：8M x 8 或 4M x 16（具体结构需参考数据手册）
　　电压范围：2.3V 至 3.6V（典型值为3.3V）
　　访问时间：最快可达20 ns（对应最大工作频率为50 MHz）
　　封装类型：TSOP 或 BGA（具体封装取决于制造商）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：异步SRAM接口
　　功耗：典型工作模式下为100 mA 至 200 mA

35LSW82000M64X99 是一款高性能异步SRAM模块，专为高速数据存储和访问设计。其主要特性之一是低延迟，适用于需要快速响应的应用。该模块采用先进的CMOS技术，提供高可靠性和稳定性，同时具备较低的功耗。其工作电压范围为2.3V至3.6V，使其在多种电源环境下都能稳定运行。此外，该SRAM模块支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于严苛的工作环境。
　　该模块的访问时间最快可达20 ns，支持高达50 MHz的工作频率，确保了数据的高速传输。其封装形式通常为TSOP或BGA，适用于紧凑型电路板设计。由于其异步接口特性，35LSW82000M64X99 能够轻松集成到多种系统架构中，无需复杂的时钟同步机制，从而降低了系统设计的复杂性。
　　在数据保持方面，该SRAM模块无需刷新操作，与DRAM相比具有更高的稳定性。其非易失性虽然不如Flash存储器，但凭借高速访问能力和低延迟特性，35LSW82000M64X99 成为了缓存、临时数据存储和高速缓冲存储器的理想选择。

35LSW82000M64X99 主要应用于需要高速、低延迟存储解决方案的领域。例如，在通信设备中，它可用于路由器和交换机的高速缓存，以提高数据转发效率。在工业控制系统中，该SRAM模块可作为临时数据存储单元，用于存储实时采集和处理的数据。此外，它还广泛用于测试测量仪器、嵌入式系统、图像处理设备以及高端消费类电子产品中的高速缓冲存储器需求。

35LSW82000M64X99 的替代型号包括：CY62167GV30LL-55B2C、IS61LV25616-10B4BLI、IDT71V416S10PFG 和 A621080S10C15。这些型号在功能和性能上与35LSW82000M64X99 类似，但具体参数和封装形式可能有所不同，使用时需参考各厂商的数据手册以确保兼容性。