CMP201209XD100KT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
其封装形式为 DFN(Dual Flat No-lead),具备优良的散热性能和小型化设计,非常适合对空间有严格要求的应用场合。
型号:CMP201209XD100KT
类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
极性:N-Channel
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:20A
导通电阻:8.5mΩ
栅极电荷:36nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:DFN
功耗:40W
CMP201209XD100KT 的主要特性包括:
1. 高效的功率转换能力,得益于其超低的导通电阻。
2. 快速开关性能,可有效降低开关损耗。
3. 内置 ESD 保护功能,提高了器件在恶劣环境下的可靠性。
4. 热增强型封装设计,能够快速将热量散发到外部,从而提升整体系统稳定性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
6. 宽工作温度范围,适应多种复杂应用环境。
这款功率 MOSFET 可以广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池管理系统 (BMS),用于电动工具、电动车和其他便携式设备。
3. 工业电机控制和驱动电路。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. LED 驱动电路以及其他需要高效功率管理的电子设备。
CMP201209XD120KT, IRFZ44N, FDP5500