频率：32.000MHz
　　负载电容：8pF / 10pF / 12pF / 18pF / 20pF（依具体型号而定）
　　频率精度：±10ppm / ±20ppm / ±30ppm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C 或 -40°C 至 +105°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　等效串联电阻（ESR）：≤50Ω（典型值根据封装和设计不同）
　　激励功率（Drive Level）：≤100μW（最大值）
　　老化率：±3ppm/年 或 ±5ppm/年
　　封装类型：HC-49/S, HC-49/US, SMD3225(3.2×2.5mm), SMD2016(2.0×1.6mm)等
　　引脚数：2引脚（无源晶体）或4引脚（有源晶振）
　　输入电压（仅适用于有源晶振）：3.3V 或 5.0V
　　输出逻辑电平（仅适用于有源晶振）：CMOS/LVCMOS/TTL

32.000MHz晶体具备高频率稳定性和良好的温度特性，能够在宽温范围内维持精确的频率输出，适合对时序要求严格的数字系统使用。其核心材料为石英晶体，利用压电效应实现机械振动与电信号之间的转换，从而产生稳定的谐振频率。为了保证频率准确性，晶体的设计需匹配特定的负载电容（如12pF或18pF），并在PCB布局时注意走线对称、减少寄生电容影响。对于无源晶体，通常需要搭配微控制器内部或外部的振荡器电路共同工作；而对于有源晶振，则集成了振荡电路，只需供电即可输出稳定方波，简化了设计流程并提升了可靠性。
　　该频率晶体具有较低的相位噪声和抖动表现，尤其在通信系统和高速数据传输中能有效降低误码率。同时，现代小型化封装（如SMD2016）使得32MHz晶体适用于空间受限的便携式设备，兼顾性能与尺寸需求。此外，部分高端型号支持宽电压操作、低功耗模式及禁用功能（OE），便于电源管理和系统节能。在EMI（电磁干扰）控制方面，良好的封装屏蔽和内部结构设计有助于减少对外部电路的干扰。
　　32.000MHz晶体还具备较强的抗机械冲击和振动能力，适用于工业环境下的长期运行。制造过程中经过严格的筛选和老化测试，确保产品的一致性和寿命。随着物联网、无线传感网络和智能终端的发展，对该频点晶体的需求持续增长，推动了更高精度、更低功耗和更小封装的技术进步。

32.000MHz晶体广泛应用于各类需要高精度时钟源的电子系统中。在微控制器单元（MCU）和片上系统（SoC）中，常作为主时钟源驱动处理器内核、内存控制器和外设接口，确保系统各模块协调运行。在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee、LoRa、NB-IoT）中，该频率晶体为射频收发器提供参考时钟，直接影响信号调制解调的准确性和通信质量。
　　在消费类电子产品中，包括智能手机、平板电脑、智能手表、TWS耳机等设备，32MHz晶体用于主控芯片的系统时钟，支持高速数据处理和多任务调度。在计算机主板和嵌入式工控设备中，该晶体为BIOS启动、USB控制器、以太网接口等提供同步时钟信号。
　　此外，在工业自动化、医疗仪器、汽车电子（如车载信息娱乐系统、ADAS模块）等领域，32.000MHz晶体因其高可靠性和稳定性被广泛采用。在测试测量仪器（如示波器、逻辑分析仪）中，也常用作采样时钟基准，保障数据采集的准确性。随着5G、边缘计算和AIoT的发展，对高精度时钟的需求进一步提升，促使32MHz晶体向更高稳定性、更小体积和更低功耗方向演进。

ECS-320-12.5-34QPM-A-TR
　　NDK NX3225SA-32.000MHZ-EXD3
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