CMP201209JD150MT 是一款由 CMC(China Material Corporation)生产的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具体为 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适用于多种功率转换应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理模块。
该型号的命名规则中包含关键参数信息:20 表示最大漏源电压(Vds)为 20V;120 表示连续漏极电流(Id)为 120A;9 表示导通电阻 Rds(on) 约为 9mΩ(在典型条件下)。此外,'JD150' 表示封装类型及引脚排列,而 'MT' 则表示产品通过了特定的可靠性测试。
最大漏源电压:20V
连续漏极电流:120A
导通电阻(Rds(on)):9mΩ(典型值,条件为 Vgs=10V,Ids=40A)
栅极电荷:60nC(典型值)
输入电容:2000pF(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:D2PAK(TO-263)
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
3. 快速开关特性,适合高频开关电源设计。
4. 内置反向恢复二极管,减少开关噪声并优化性能。
5. 强大的散热能力,能够在高温环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
7. 封装采用 D2PAK(TO-263),便于表面贴装和散热管理。
8. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关功能。
2. 电动车辆(EV/HEV)中的电池管理系统(BMS)和电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 大功率 LED 驱动器中的电流控制与调节。
5. 可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率转换。
6. 数据中心服务器和通信设备的电源管理单元。
7. 各种便携式电子设备的高效充电解决方案。
8. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
IRFZ44N, STP120NF06L, FDP150AN6S