类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：25A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.5mΩ @ Vgs = -10V
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

CJAB25P03H 具有多个显著的技术特性，首先其采用先进的沟槽式MOSFET技术，使得导通电阻（Rds(on)）非常低，有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件在Vgs为-10V时，Rds(on)最大值仅为3.5mΩ，这在同类产品中处于领先水平，适合需要高效能功率管理的应用场景。
　　其次，CJAB25P03H 的最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流为25A，能够满足多种中高功率应用的需求。由于其P沟道结构，在电源开关和负载切换等应用中，它能够提供较高的可靠性和较低的开关损耗。　　最后，CJAB25P03H 具有较高的热稳定性，工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适合在各种严苛的环境条件下运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载能力，适用于工业、汽车电子及消费类电子产品中的高可靠性要求。

CJAB25P03H 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源适配器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和消费类电子产品等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET非常适合用于需要高效能功率开关的场合，例如同步整流、电源切换和电源保护电路等。
　　在汽车电子应用中，CJAB25P03H 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车载娱乐系统等。在工业自动化设备中，该器件可作为高可靠性开关元件，用于控制各种电机、继电器和执行器。此外，在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中，CJAB25P03H 也可用于电源管理和负载切换应用，以提高能效并延长电池寿命。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF9540NPBF, FDPF030N08L, FDS4410A