时间：2025/7/8 21:15:44
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CMP100N04是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率开关、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下实现高效率的功率转换。
该芯片通常被设计用于中小功率应用场景，支持较高的漏源电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
栅极电荷(Qg)：38nC
输入电容(Ciss)：2050pF
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力，适合大电流应用环境。
3. 快速开关特性，能够有效减少开关损耗。
4. 优异的热稳定性，即使在高温条件下也能保持性能稳定。
5. 小封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用。
6. 可靠性高，符合严格的工业标准要求。
7. 良好的静电防护能力，简化电路保护设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 各类负载开关应用。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 电机驱动和逆变器电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 汽车电子中的电源管理和驱动电路。
IRFZ44N, FDP150AN04, STP100N04L
