型号：IRLU8726
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：120A（@ TC = 25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：480A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.3mΩ（@ VGS = 10V, ID = 60A）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.2mΩ（@ VGS = 4.5V, ID = 60A）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V（@ ID = 250μA）
　　最大功耗（PD）：200W（TC = 25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252 (D-Pak)
　　安装方式：表面贴装（SMD）

IRLU8726采用英飞凌先进的沟槽栅工艺技术，这种结构通过优化载流子流动路径，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少导通损耗，提高系统整体效率。其超低的导通电阻在大电流应用中尤为重要，能够有效降低温升，提升功率密度。该器件在VGS = 10V时的典型RDS(on)仅为3.3mΩ，在同类产品中处于领先水平，使其非常适合用于高效率同步整流、大电流开关电源和电机控制等应用。
　　该MOSFET具备出色的开关性能，其输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss）经过优化，使得开关过程中的延迟时间和上升/下降时间较短，从而减少了开关损耗。这对于高频工作的电源转换器尤其关键，有助于实现更高的开关频率，进而减小外围无源元件（如电感和电容）的体积，实现更紧凑的设计。
　　IRLU8726还具有良好的热稳定性与可靠性。其最大结温可达+175°C，并支持在-55°C的低温环境下正常工作，适应各种严苛的工作环境。TO-252封装不仅提供了优良的散热通道，还便于自动化贴片生产，提高了制造效率。
　　此外，该器件具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在负载突变或感性负载关断时承受瞬时过压，避免器件损坏。其栅极氧化层经过严格工艺控制，可承受±20V的栅源电压，增强了抗静电（ESD）能力。综合来看，IRLU8726在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是现代电力电子系统中理想的功率开关选择之一。

IRLU8726广泛应用于各类需要高效、大电流开关能力的电子系统中。在电源管理领域，它常用于同步降压转换器（Buck Converter）中的主开关或整流开关，特别是在服务器电源、笔记本电脑适配器和通信设备电源模块中表现出色。其低导通电阻和高电流承载能力使其能够在高负载条件下保持较低的温升，提升电源效率。
　　在电机驱动应用中，IRLU8726可用于直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）的H桥驱动电路中，作为功率开关元件。其快速开关特性有助于实现精确的PWM调速控制，同时降低功耗和发热。
　　该器件也适用于电池供电系统，例如电动工具、便携式医疗设备和储能系统中的充放电控制电路。在这些应用中，IRLU8726能够高效地控制电池与负载之间的能量传输，延长电池使用寿命。
　　此外，IRLU8726还可用于热插拔控制器、负载开关、逆变器和DC-DC变换器等工业控制设备中。其高可靠性和宽温度工作范围使其适用于汽车电子辅助电源系统（非主驱）、工业自动化设备和户外电子装置。总之，凡是需要高效率、高电流、小型化封装的功率开关场合，IRLU8726都是一个极具竞争力的选择。

IRLHS8726
　　IRLZ44S
　　FDP6030L
　　NTD4859N