型号：CMOSH-4ETR
　　封装类型：SOT-23-3
　　二极管配置：4个独立肖特基二极管（具体连接方式需查证）
　　最大重复反向电压（VRRM）：根据系列可能为30V或40V
　　最大直流阻断电压（VRDC）：同VRRM
　　最大正向连续电流（IF）：300mA（单个二极管）
　　峰值脉冲电流（IFSM）：典型值1.25A
　　最大正向压降（VF）：@ IF=300mA, 典型值0.38V～0.5V
　　反向漏电流（IR）：@ VR=25V, 温度25°C, 典型值<1μA
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约350°C/W（视PCB布局而定）

CMOSH-4ETR的核心优势在于其集成化的四通道肖特基二极管结构，在一个微型SOT-23-3封装内实现了多路高效整流功能，显著节省了PCB布板空间，特别适用于高密度组装的便携式电子设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。肖特基势垒二极管基于金属-半导体结原理，相较于传统的PN结二极管，具有更低的正向导通压降（VF），一般在0.3V至0.5V之间，这有效减少了功率损耗，提高了系统能效，尤其在低电压供电系统中表现突出。
　　该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）几乎可以忽略不计（通常小于1ns），因此非常适合用于高频整流、开关电源中的续流与箝位电路，以及高速逻辑电平转换应用。由于没有少子存储效应，CMOSH-4ETR在动态工作状态下不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而降低电磁干扰（EMI）风险，有利于提高整个系统的电磁兼容性（EMC）。
　　CMOSH-4ETR采用先进的芯片制造工艺，保证了器件的一致性和可靠性。其额定工作结温可达125°C，支持在较恶劣的热环境中稳定运行。同时，器件对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，部分型号内置ESD保护结构，可用于接口端口的瞬态电压抑制。此外，SOT-23封装便于自动化贴片生产，支持回流焊和波峰焊工艺，符合现代电子制造流程要求。
　　值得注意的是，尽管CMOSH-4ETR具备良好的电气性能，但在高负载条件下仍需注意散热设计。虽然单个二极管可承受300mA的持续正向电流，但实际应用中应考虑总功耗分布与PCB铜箔面积对热传导的影响，避免因局部过热导致性能下降或寿命缩短。建议在设计时遵循制造商推荐的焊盘布局规范，以优化热管理和电气连接性能。

CMOSH-4ETR常用于各类需要多通道低压降整流或信号保护的电子电路中。典型应用场景包括电源轨之间的防倒灌电路（OR-ing电路）、电池供电设备中的反接保护、USB接口和其他通信端口的静电放电（ESD）防护、高速数据线的电压箝位与噪声抑制、微控制器I/O引脚的输入保护等。此外，它也被广泛应用于DC-DC转换器的同步整流辅助电路、LCD背光驱动电路中的续流二极管、以及各类传感器信号调理模块中的电平隔离与整形。
　　在便携式消费电子产品中，由于供电电压较低（如3.3V或更低），使用传统硅二极管会造成较大的电压损失和能量浪费，而CMOSH-4ETR的低VF特性使其成为理想的替代方案。例如，在锂电池充放电管理路径中，利用其单向导通特性防止电流回流，同时最小化压降以延长续航时间。在数字逻辑电平转换电路中，CMOSH-4ETR可用于构建简单的双向电平移位器，配合上拉电阻实现不同电压域间的信号互通。
　　工业控制与通信设备中，该器件可用于总线保护电路，例如RS-232、I2C、SPI等通信接口的过压箝位，防止外部瞬变电压损坏敏感的集成电路。其快速响应能力能够及时将浪涌能量导入地线，保障主控芯片安全。此外，在射频前端模块中，也可作为天线开关或功率放大器输出端的耦合/隔离元件，发挥其高频特性优势。
　　随着物联网设备的小型化趋势，CMOSH-4ETR因其紧凑封装和多功能集成特点，越来越多地被用于智能家居节点、无线传感器网络终端、蓝牙耳机充电仓等产品中，满足对空间、功耗和可靠性的综合要求。

MMBD4148WT1G
　　BAT54S
　　RB751S-40
　　MAX4316EUD+T