时间：2025/5/8 9:36:52
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DMP31D7LDW 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用超小型的 LFPAK33 (DFN3x3) 封装。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景，广泛用于电源管理、负载开关以及便携式电子设备中。其出色的性能使其成为低功耗设计的理想选择。
型号：DMP31D7LDW
品牌：Diodes Incorporated
类型：MOSFET（N沟道）
封装：LFPAK33 (DFN3x3)
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：5.2mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：8A
Qg（栅极电荷）：9nC（典型值）
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.4V（典型值）
fT（截止频率）：116MHz（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
DMP31D7LDW 的主要特点是其超低的导通电阻 Rds(on)，这使得它在高电流应用中能够显著减少传导损耗并提升整体效率。
该器件采用无引线封装技术，具有优良的热性能和电气性能。同时，其小巧的体积非常适合空间受限的设计环境。
DMP31D7LDW 在较低的 Vgs 条件下仍能保持较小的 Rds(on)，增强了其在电池供电或低压系统中的适用性。
此外，它的高雪崩能力和可靠性确保了在极端条件下的稳定运行。
DMP31D7LDW 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关操作的领域。
典型应用包括：
1. 移动设备中的负载开关
2. DC/DC 转换器
3. 电池管理系统
4. USB 充电器及适配器
5. 工业控制与自动化中的小型化功率模块
6. LED 驱动电路
由于其小尺寸和高性能，该 MOSFET 特别适合对空间和效率有严格要求的便携式电子产品。
DMP3007LDW, DMP31D7SFG
