时间：2025/9/3 23:16:08
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CMN3008F5 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于电源管理和功率开关应用，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等场景。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：8A
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：TSOP6
CMN3008F5 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中表现出色，能够有效降低功率损耗。其导通电阻在 VGS=10V 时仅为 8.5mΩ，确保了高效的电流传输。此外，该 MOSFET 的开关速度较快，适用于高频开关应用，能够提高系统效率并减小外部滤波元件的尺寸。
CMN3008F5 采用 Trench MOSFET 技术，提高了芯片的密度和性能，同时具备良好的热稳定性。其 TSOP6 封装体积小巧，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，可在严苛环境中稳定运行。
该 MOSFET 还具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了器件在异常工作条件下的可靠性。Nexperia 的产品一贯以高质量和一致性著称，CMN3008F5 在批量应用中表现稳定，适合用于工业控制、消费电子、通信设备等各类应用领域。
CMN3008F5 主要用于需要高效功率管理的电路中，例如同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、电池管理系统、负载开关和电机驱动电路。此外，它也可用于电源适配器、LED 照明驱动、智能电表和各类便携式电子设备中的功率开关控制。
Si2302DS、IRLML2803、FDS6675、FDV303N、AO3400A
