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CMFD104F4200HANT 发布时间 时间:2025/12/28 0:34:48 查看 阅读:16

CMFD104F4200HANT是一款高性能的多层陶瓷芯片电容器(MLCC),由知名的电子元器件制造商生产,广泛应用于高频、高稳定性和高可靠性的电子电路中。该型号属于温度补偿型电容器系列,采用C0G(NP0)电介质材料,具备极佳的温度稳定性、低损耗和出色的频率响应特性,适用于对电容值稳定性要求极高的场合。CMFD104F4200HANT的封装尺寸为0402(公制1005),适合高密度贴装的印刷电路板设计,尤其在射频(RF)、微波、精密振荡器和滤波电路中表现出色。该器件符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q200等可靠性认证,适用于汽车电子、通信设备、工业控制和消费类电子产品等多种应用场景。其命名规则中,'CMFD'代表产品系列,'104'表示标称电容值为100nF(即0.1μF),'F'代表额定电压等级,'4200'可能为特定批次或内部编码,'HANT'通常表示卷带包装形式和制造信息。该电容器采用先进的叠层工艺制造,确保了优异的机械强度和热循环耐久性,在高温、高湿及振动环境下仍能保持稳定的电气性能。

参数

电容值:100nF
  容差:±1%
  额定电压:50V
  电介质材料:C0G(NP0)
  温度系数:0±30ppm/℃
  工作温度范围:-55℃ ~ +125℃
  封装尺寸:0402(1.0mm x 0.5mm)
  厚度:0.5mm
  端接类型:镍阻挡层/锡外电极
  绝缘电阻:≥10000MΩ 或 R×C ≥ 500S
  损耗因数(DF):≤0.1%
  老化率:0%/decade
  包装形式:卷带(HANT)

特性

CMFD104F4200HANT所采用的C0G(NP0)电介质材料是目前最稳定的陶瓷电介质之一,能够在整个工作温度范围内保持电容值几乎不变,其温度系数仅为0±30ppm/℃,这意味着即使在极端温度条件下,电容值的变化也极其微小,远优于X7R、X5R等其他类型的陶瓷电容器。这种卓越的温度稳定性使其成为精密模拟电路、高频谐振电路和时钟振荡器中的理想选择,能够有效避免因温度变化引起的频率漂移或信号失真。此外,该电容器具有极低的介质损耗(DF ≤ 0.1%),意味着在高频应用中能量损耗极小,发热少,效率高,特别适合用于射频匹配网络、LC滤波器和功率放大器偏置电路。
  该器件的电容容差控制在±1%以内,精度高,一致性好,有助于提升电路的整体性能和良率。在长期使用过程中,C0G材料的老化率几乎为零,不会像铁电介质那样随时间推移而发生明显的电容衰减,从而保证了产品在整个生命周期内的可靠性。其结构采用多层陶瓷叠层技术,内部电极交错排列,有效降低了等效串联电感(ESL),提升了自谐振频率,使其在GHz级高频下仍能保持良好的电容特性。同时,0402小型化封装适应现代电子产品轻薄化、高密度化的发展趋势,便于自动化贴片生产,提高组装效率。端电极为镍阻挡层加锡外电极设计,具有良好的可焊性和抗迁移能力,能够在回流焊过程中形成可靠的焊接连接,并抵抗潮湿环境下的电化学腐蚀。

应用

CMFD104F4200HANT因其优异的电气性能和稳定性,被广泛应用于对电容精度和稳定性要求极高的高端电子系统中。在无线通信领域,它常用于射频前端模块中的阻抗匹配网络、天线调谐电路和滤波器,确保信号传输的高效与稳定。在精密仪器仪表中,该电容器可用于参考振荡器、相位锁定环(PLL)和ADC/DAC缓冲电路,防止时钟抖动和信号失真。在汽车电子系统中,如雷达传感器、车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS),该器件能够在宽温域和复杂电磁环境中保持稳定工作,满足严苛的可靠性要求。此外,它也适用于工业控制系统中的高精度电源去耦、噪声滤波和信号调理电路。在医疗电子设备中,如便携式监护仪和超声成像系统,其低噪声和高稳定性有助于提升信号采集的准确性。由于其符合AEC-Q200和RoHS标准,该电容器也适用于航空航天、军事通信等高可靠性要求的领域,作为关键无源元件保障系统长期稳定运行。

替代型号

GRM155F42Y50

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