时间:2025/12/28 0:29:49
阅读:25
CMFD103F3500HANT是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用双阳极共阴极配置,适用于高频开关和整流应用。该器件封装在紧凑的SOD-123FL小型化封装中,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适合对空间和能效要求较高的电源管理设计。其结构设计优化了热性能和电气性能,能够在较高环境温度下稳定工作,广泛用于消费电子、通信设备和便携式产品中。
这款二极管的主要优势在于其高效率和小型化特性,能够显著降低系统功耗并节省PCB布局空间。器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。此外,CMFD103F3500HANT具备良好的浪涌电流承受能力,提升了在瞬态负载条件下的可靠性。由于其优异的开关性能,特别适用于DC-DC转换器、逆变器电路以及极性保护等应用场景。
型号:CMFD103F3500HANT
类型:双阳极共阴极肖特基二极管
封装:SOD-123FL
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大直流反向电压(VR):30V
峰值脉冲功率(PPPM):3500W
最大正向平均电流(IF(AV)):1A
最大正向峰值电流(IFSM):30A
最大正向电压降(VF):0.48V @ 1A
反向漏电流(IR):0.1mA @ 25°C
结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
安装方式:表面贴装
引脚数:2
极性:双阳极共阴极
湿度敏感等级(MSL):1级
符合标准:RoHS, 无卤素
CMFD103F3500HANT的核心特性之一是其低正向电压降(VF),在1A电流下典型值仅为0.48V,这显著降低了导通损耗,提高了电源系统的整体效率。低VF得益于其肖特基势垒结构,利用金属-半导体接触形成整流效应,避免了传统PN结二极管中的少数载流子存储效应,从而实现更高效的能量转换。这种特性使其非常适合用于低压大电流输出的DC-DC转换器中,例如为微处理器或FPGA供电的同步整流拓扑结构。同时,低发热也减少了散热设计的需求,有助于缩小终端产品的体积。
另一个关键特性是其快速开关能力。由于肖特基二极管属于多数载流子器件,不存在反向恢复电荷(Qrr)问题,因此反向恢复时间几乎可以忽略不计。这一特点极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),对于高频开关电源(如工作频率超过500kHz的电源模块)尤为重要。CMFD103F3500HANT在高频环境下仍能保持稳定的电气性能,有效防止因反向恢复引起的电压尖峰和功率器件损坏。
该器件采用SOD-123FL封装,尺寸仅为2.7mm x 1.8mm x 1.1mm,具有较小的占位面积和较低的热阻,便于在高密度PCB布局中使用。封装结构经过优化,具备良好的热传导路径,有助于将结温控制在安全范围内。此外,MSL 1级评级表明其对湿气不敏感,可在常温常湿条件下长期储存而无需特殊管控,简化了生产供应链管理流程。
CMFD103F3500HANT还具备较强的浪涌电流承受能力,额定IFSM高达30A,意味着它可以在短时间内承受较大的瞬态电流冲击,例如在电源启动或负载突变时提供可靠的保护功能。这一特性增强了系统的鲁棒性,尤其适用于存在频繁启停或不稳定输入条件的应用场景。综合来看,该器件在效率、速度、尺寸和可靠性方面实现了良好平衡,是一款高性能的表面贴装整流解决方案。
CMFD103F3500HANT广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流元件的电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的续流与整流二极管,尤其是在低电压输出的同步整流架构中发挥重要作用。它也被广泛用于便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理系统中,用于电池充电回路、电源路径控制及电压调节模块。
在DC-DC转换器中,该二极管常作为续流二极管使用,配合MOSFET进行能量回馈,提升转换效率。由于其低正向压降和快速响应特性,特别适用于升压(Boost)、降压(Buck)和反激式(Flyback)拓扑结构。此外,在逆变器电路和驱动电路中,CMFD103F3500HANT可用于防止反向电流流动,实现信号隔离和极性保护功能。
工业控制设备、网络通信模块以及汽车电子中的辅助电源单元也是其典型应用场景。例如,在车载信息娱乐系统或ADAS传感器供电模块中,该器件可在有限空间内提供稳定可靠的整流性能。另外,由于其符合环保标准且具备高可靠性,也可用于医疗设备和测量仪器等对安全性要求较高的领域。
MBR130VSFT1G
RB520S-40T1G
SS12-13-F
BAT54C-WM