时间:2025/12/26 22:31:31
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CMDZ3V3TR是一款由Central Semiconductor Corp生产的齐纳二极管,其标称齐纳电压为3.3V,适用于低功率稳压和电压参考应用。该器件采用SOD-323(SC-90)小型表面贴装封装,具有较小的尺寸和良好的热稳定性,适合在高密度PCB布局中使用。CMDZ3V3TR通常用于保护敏感电路免受过压影响、提供稳定的参考电压或在信号调理电路中实现电平钳位。该齐纳二极管设计用于连续工作在反向击穿区域,能够在指定电流范围内维持稳定的电压输出。由于其低动态阻抗和快速响应特性,CMDZ3V3TR广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品、通信模块以及电源管理单元中。此外,该器件符合RoHS指令要求,属于无铅环保产品,并具备良好的可靠性与长期稳定性,适合自动化贴片生产流程。
类型:齐纳二极管
封装/外壳:SOD-323(SC-90)
齐纳电压(Vz):3.3V @ 5mA
容差:±5%
最大耗散功率:200mW
测试电流(Izt):5mA
最大齐纳阻抗(Zzt):20Ω
工作温度范围:-65°C ~ +150°C
反向漏电流(Ir):<1μA @ 1V
CMDZ3V3TR的最显著特性之一是其精确且稳定的齐纳电压,标称值为3.3V,在标准测试条件下的容差控制在±5%以内,确保了在精密电压参考应用中的可靠性能。这一精度使其特别适用于需要稳定基准电压的模拟电路、ADC参考源或逻辑电平转换场景。该器件在5mA的测试电流下表现出较低的动态阻抗(典型值不超过20Ω),意味着即使负载电流发生波动,输出电压仍能保持高度稳定,有效抑制噪声和纹波。
另一个关键特性是其采用SOD-323小型化封装,尺寸仅为约1.7mm x 1.3mm x 1.1mm,非常适合空间受限的应用场合,如智能手机、可穿戴设备和微型传感器模块。尽管体积小,但其200mW的最大功耗足以支持大多数低功耗稳压需求,例如为微控制器I/O引脚提供电压钳位或在数据线路上进行ESD保护。
CMDZ3V3TR具有优异的温度稳定性和长期老化特性,工作结温范围可达+150°C,可在高温环境下长时间运行而不影响性能。同时,其反向漏电流极低(小于1μA @ 1V),有助于减少待机状态下的功耗,提升系统能效。该器件还具备良好的瞬态响应能力,能够快速响应输入电压突变,防止下游电路受到损害。
此外,CMDZ3V3TR符合国际环保标准,为无铅、无卤素产品,并通过AEC-Q101等可靠性认证(视具体批次而定),适用于工业级和汽车电子环境。其制造工艺采用先进的扩散技术,确保每批产品的参数一致性,便于大规模自动化生产和质量控制。
CMDZ3V3TR广泛应用于各类需要低压稳压和电压参考功能的电子系统中。在便携式消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机,它常被用作USB接口或GPIO引脚的电压钳位元件,防止静电放电(ESD)或意外过压造成芯片损坏。在电源管理电路中,它可以作为辅助稳压器,为传感器、MCU或其他低电压IC提供稳定的3.3V参考电压,尤其适用于没有专用LDO的简化设计。
在通信与接口电路中,CMDZ3V3TR可用于RS-232、I2C、SPI等信号线路的电平保护,通过将信号幅值限制在安全范围内来提高系统鲁棒性。在电池供电设备中,该器件可用于电池电压监测电路中的分压反馈网络,配合比较器实现欠压报警或自动关机功能。
工业控制领域也常见其身影,例如PLC模块、智能仪表和远程IO单元中,利用其稳定的齐纳特性构建简单的过压保护电路或基准源。此外,在汽车电子系统中,虽然需满足更严苛的认证要求,但在非关键子系统如车载娱乐系统、车内照明控制或传感器接口中,CMDZ3V3TR仍可发挥其小型化和高可靠性的优势。
由于其快速响应特性和低寄生参数,该器件还可用于高频开关电源中的反馈环路补偿或噪声滤波节点,帮助改善电源输出质量。总之,CMDZ3V3TR凭借其紧凑封装、稳定性能和多用途特性,成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。
MMSZ4682T1G
PZM3.3N
BZT52C3V3