CMDD6001LEADFREE 是一款由 Central Semiconductor 生产的双极型晶体管(BJT),采用 NPN 结构,适用于多种通用和高频开关应用。该晶体管符合 RoHS 标准,采用无铅封装,适合现代环保电子产品的设计需求。
类型:NPN 晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):100V
最大集电极电流(IC):200mA
最大功耗(PD):300mW
频率响应:250MHz
电流增益(hFE):110-800(根据不同档位)
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
CMDD6001LEADFREE 具备优异的高频性能,适用于射频(RF)和高速开关电路。其低饱和电压特性有助于降低功耗,提高系统效率。此外,该器件具有良好的热稳定性和可靠性,适用于在严苛环境下运行的电子设备。
晶体管的 hFE 值范围较广,分为多个档位(例如 hFE=110-800),可以根据具体应用需求选择合适增益等级的器件。这种灵活性使其适用于放大器设计和数字开关电路。
无铅封装不仅符合环保要求,还提高了焊接工艺的兼容性,适用于回流焊等现代制造流程。SOT-23 封装体积小巧,有助于节省 PCB 空间,适合高密度电路设计。
该晶体管具有良好的抗静电能力,并在极端温度条件下保持稳定工作,适合工业控制、通信设备和消费类电子产品中的多种应用。
CMDD6001LEADFREE 广泛应用于无线通信模块、射频前端电路、音频放大器、数字逻辑开关、电源管理电路以及传感器接口电路等场景。其高频特性和小尺寸封装使其成为便携式设备和射频识别(RFID)系统中的理想选择。
BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N4401