供电电压范围：4.5V - 20V
　　输出驱动电流（峰值）：±1.5A（典型值）
　　输入信号兼容性：3.3V/5V逻辑电平
　　工作温度范围：-55°C至+175°C（结温）
　　最大工作频率：200kHz
　　传播延迟：典型值90ns
　　上升/下降时间（典型值）：25ns/20ns（18V电源，1nF负载）
　　输出高电平电压（VDD=18V）：约17.5V
　　输出低电平电压：约0.2V
　　隔离耐压：1200V（符合IEC 60747-17标准）

CMD6015具备多项高性能特性，适用于高要求的功率电子系统。
　　首先，其双通道MOSFET驱动能力可以同时驱动两个独立的功率器件，适用于半桥或全桥拓扑结构。该芯片内部集成高边和低边驱动电路，并采用自举供电方式，确保在高电压工作条件下仍能提供稳定的栅极驱动电压。
　　其次，CMD6015具备出色的抗干扰能力，其输入端采用施密特触发器设计，有效抑制噪声干扰，确保控制信号的稳定性。同时，该芯片内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，防止功率器件误动作。
　　此外，CMD6015支持宽温度范围工作，其封装材料和内部结构经过特殊设计，能够在高温环境下保持良好的电气性能和机械稳定性。这种特性使其非常适合用于电动汽车和工业高温环境中。
　　最后，该芯片的封装设计具备良好的热管理和电气隔离性能，采用耐高温封装材料，适用于焊接在高功率PCB上，提供长期稳定的工作可靠性。

CMD6015广泛应用于需要高可靠性和高温耐受能力的电力电子系统中。
　　在电动汽车和混合动力汽车领域，CMD6015可用于驱动主逆变器、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器中的MOSFET或SiC器件，提供稳定可靠的栅极驱动信号。
　　在工业应用中，CMD6015适用于高性能电机驱动器、伺服控制器和工业电源系统。其高温耐受能力和抗干扰特性使其在恶劣工业环境中仍能稳定运行。
　　在可再生能源系统中，CMD6015可用于光伏逆变器、储能系统和风能变流器，驱动高功率MOSFET或SiC器件，提高系统效率和可靠性。
　　此外，CMD6015还可用于航空电子系统、铁路牵引变流器和高可靠性测试设备中，满足对长期稳定性和极端环境适应性的严格要求。

Si8235BBC-C-ISR、ADuM3223BRZ、IX4352NE5103I-TR、NCD57001-D-1、FAN7392S