CMD50P03是一款高性能的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),适用于多种开关和电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛用于DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等场景。
该MOSFET采用了先进的制造工艺,能够提供优异的电气特性和可靠性,同时其封装设计有助于提升散热性能和简化电路板布局。
型号:CMD50P03
类型:P沟道 MOSFET
Vds(漏源电压):-30V
Rds(on)(导通电阻):50mΩ(典型值,Vgs=-4.5V时)
Id(连续漏极电流):-8A
Pd(总功耗):1.6W
Vgs(栅源电压):±8V
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:SOT-23
CMD50P03具有以下显著特性:
1. 低导通电阻:在Vgs=-4.5V条件下,Rds(on)仅为50mΩ,这降低了导通损耗并提高了系统效率。
2. 高电流承载能力:支持高达8A的连续漏极电流,使其适合于大功率应用。
3. 小型封装:采用SOT-23封装,节省了PCB空间,非常适合紧凑型设计。
4. 宽工作温度范围:能够在-55℃至+150℃的极端环境下稳定运行,增强了器件的可靠性和适应性。
5. 快速开关性能:具备较低的输入电容和输出电容,确保快速切换,减少开关损耗。
6. 符合RoHS标准:环保材料使用,满足国际法规要求。
CMD50P03适用于多种领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关或同步整流元件,用于高效能DC-DC转换。
2. 负载开关:实现对不同负载的快速开启与关闭控制。
3. 电池保护电路:监控和管理电池充放电过程中的电流和电压。
4. 电机驱动:用于小型直流电机的启停及调速控制。
5. 消费类电子产品:包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器等设备中的电源管理部分。
CMD50P05, Si2303DS, BSS84