CMD50N06B 时间：2025/6/30 23:17:48 阅读：3

CMD50N06B是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高切换速度以及良好的热稳定性，广泛应用于各种电子设备中以实现高效的功率转换和控制。
　　该型号属于分立半导体器件，设计用于需要低功耗和高性能的场合，能够承受较高的漏源电压，并具备较大的电流承载能力。

参数

最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　持续漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ（在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：95W
　　结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
　　封装类型：TO-247

特性

CMD50N06B的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高速切换性能，非常适合高频功率转换应用。
　　3. 较高的雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性，使其能够在恶劣条件下可靠运行。
　　4. 采用标准的TO-247封装形式，便于安装与散热设计。
　　5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的需求。

应用

CMD50N06B可广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
　　2. 直流-直流(DC-DC)转换器的核心功率器件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. 太阳能逆变器以及其他功率变换系统中的关键组件。
　　5. 各种工业及消费类电子产品的负载开关和保护电路。