类型：GaN HEMT射频功率晶体管
　　频率范围：DC至6 GHz
　　输出功率：典型值32 W（在2.7 GHz下）
　　增益：典型值18 dB
　　效率：典型值65%
　　工作电压：+28 V
　　封装形式：表面贴装（SMD）
　　输入和输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

CMD325具备多项出色的电气和物理特性，使其在射频功率放大器设计中具有显著优势。首先，其基于GaN-on-SiC的材料结构提供了极高的功率密度和热导率，能够在高温环境下稳定运行，同时减少散热设计的复杂性。其次，CMD325具有宽频率响应范围，适用于从UHF到6 GHz的多种通信和雷达应用。此外，该器件具有高线性度和低失真特性，使其非常适合用于现代通信系统中对信号保真度要求较高的场景。CMD325的输入和输出匹配网络已经内部优化，简化了外部电路设计，降低了整体系统复杂度和成本。其高耐压特性（最高可达+28V）也增强了器件的可靠性和耐用性，适用于高功率和高可靠性要求的应用环境。

CMD325广泛应用于多种射频和微波系统中，包括但不限于无线基础设施（如4G/5G基站）、军事通信设备、雷达系统、测试与测量仪器以及工业射频加热设备。由于其高效率和高功率输出特性，该器件也常用于宽带功率放大器的设计，支持多种调制格式，满足现代通信系统对高数据速率和低误码率的需求。此外，CMD325在软件定义无线电（SDR）平台中也表现出色，能够支持多频段和多标准通信协议的灵活部署。
　　在雷达系统中，CMD325可用于发射机前端，提供高功率输出和快速响应能力，满足短脉冲和高重复频率的工作需求。在测试设备中，该器件可作为高功率射频信号源的核心组件，用于校准和验证其他射频系统的性能。

CGH40010F, LDMOS晶体管如BLF188X、NPT1007