CMD320C3 时间：2025/8/15 19:36:27 阅读：9

CMD320C3 是一款由 California Microwave（现为 Custom MMIC）制造的高性能 GaAs（砷化镓）PHEMT（伪高电子迁移率晶体管）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。该器件专为在 2 - 18 GHz 的宽频率范围内工作而设计，适用于通信、雷达、测试设备和军事系统等多种高频应用场景。CMD320C3 提供高增益、低噪声系数以及良好的线性度，是高性能射频前端设计中的关键组件。

参数

频率范围：2 - 18 GHz
　　增益：典型值 22 dB
　　噪声系数：典型值 1.5 dB
　　输出IP3：典型值 +20 dBm
　　工作电压：5 V
　　工作电流：65 mA
　　封装类型：3 mm 表面贴装封装（SMT）
　　输入/输出阻抗：50Ω

特性

CMD320C3 具有宽频带操作能力，可在 2 GHz 至 18 GHz 的频率范围内提供稳定的性能。其采用 GaAs PHEMT 技术制造，具有出色的噪声性能和高线性度。该器件的高增益使其适用于需要高灵敏度的接收系统前端。此外，CMD320C3 在整个频率范围内具有良好的回波损耗和隔离度，有助于提高系统稳定性和抗干扰能力。
　　该放大器的直流功耗较低，适合用于电池供电或对功耗敏感的系统。其表面贴装封装形式便于自动化装配，并具有良好的热稳定性和机械可靠性。CMD320C3 还具有出色的温度稳定性，可在宽温度范围内保持一致的射频性能，适合在恶劣环境下使用。
　　该器件通常无需外部匹配元件即可实现宽带匹配，从而简化了电路设计和布局。CMD320C3 的设计也考虑了抗静电（ESD）保护，提高了在实际使用中的可靠性。

应用

CMD320C3 主要用于需要高性能低噪声放大的高频系统中，例如卫星通信系统、微波点对点链路、雷达接收器、频谱分析仪和测试仪器等。其宽频带特性使其适用于多频段通信设备和宽带信号采集系统。此外，该器件也可用于军用通信、电子战设备和航空航天系统中的射频前端模块，以提高接收灵敏度并改善系统信噪比。CMD320C3 还适合用于需要快速切换频率或宽带扫描的应用场景，如软件定义无线电（SDR）平台和宽带监测系统。