CMD20P03 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的低噪声放大器(LNA)芯片,主要设计用于射频和微波通信系统中的信号放大。该器件具有卓越的增益、低噪声系数以及良好的线性度,适用于 5G 基站、卫星通信、雷达和其他高性能无线通信领域。
这款芯片采用紧凑型封装设计,能够满足现代射频系统对小型化和高效能的需求。
工作频率范围:3.4 GHz 至 4.2 GHz
增益:18 dB
噪声系数:1.2 dB
输入回波损耗:15 dB
输出回波损耗:12 dB
电源电压:5 V
静态电流:70 mA
封装形式:SMT 封装
CMD20P03 提供了出色的射频性能,其高增益与低噪声系数使得它非常适合接收端的应用场景。此外,该芯片具备较高的线性度和稳定性,在整个温度范围内表现优异。同时,由于采用了先进的砷化镓制造工艺,CMD20P03 可以在高频段保持较低的功耗水平。
它的设计还考虑到了易于集成的特点,通过优化输入输出匹配网络,简化了外部电路设计,并减少了外围元件的数量。这些特点共同确保 CMD20P03 在复杂电磁环境下依然可以提供可靠的性能。
1. 5G 基站前端模块
2. 卫星通信地面站设备
3. 雷达接收机
4. 测试测量仪器
5. 点对点微波链路
6. 其他高性能射频通信系统
CMD20P04
CMD20P05
MGA-83563