型号：AM2716B-250/B
　　容量：16K-bit (2K x 8)
　　组织结构：2048 x 8
　　工艺技术：NMOS
　　封装类型：24-pin DIP 或 PLCC
　　工作电压：+5V ±5%
　　存取时间：250ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　数据保持时间：≥10年
　　编程电压：+25.5V ±0.5V
　　输入逻辑电平：TTL兼容
　　输出逻辑电平：TTL兼容
　　擦除方式：紫外线擦除（典型波长253.7nm，能量≥15W-s/cm2）
　　待机电流：≤75mA
　　工作电流：≤125mA

AM2716B-250/B作为一款经典的紫外线可擦除可编程只读存储器（UV EPROM），其核心优势在于高稳定性和长期数据保持能力。该器件采用成熟的NMOS工艺制造，确保了在各种工业和商业环境下的可靠运行。其250纳秒的快速存取时间使其能够满足当时主流微处理器系统的时序要求，适用于需要中等速度读取性能的嵌入式应用。芯片内部存储阵列为2K×8位结构，共提供2048个地址位置，每个位置存储一个8位字节数据，总计2KB的非易失性存储空间。这种存储容量在20世纪70年代末至80年代初广泛应用于小型控制系统、固件存储和引导程序存放等场景。
　　该器件的一个显著特点是其紫外线擦除功能。芯片封装顶部设有透明石英窗口，允许紫外线穿透并清除浮栅晶体管中的电荷，从而实现整个芯片内容的批量擦除。此过程通常需要将芯片暴露于专用EPROM擦除器中约15到30分钟，以确保彻底清除原有数据。擦除完成后，可通过编程器在+25.5V的高压下对每个存储单元进行逐字节编程。编程算法需遵循制造商推荐的脉冲宽度与时序规范，以防止损坏存储单元或导致写入错误。AM2716B-250/B支持无限次读取操作，而编程/擦除周期通常限制在数百次以内，因此适合那些程序不频繁变更但需要长期保存的应用。
　　此外，AM2716B-250/B具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，可在0°C至+70°C的商业级温度范围内正常工作。其TTL电平兼容性简化了与外部逻辑电路的接口设计，无需额外的电平转换器即可直接连接到大多数微处理器的数据总线。当处于待机状态时，该芯片的功耗显著降低，有助于提高系统能效。虽然现代系统更多采用电可擦除的Flash或EEPROM技术，但AM2716B-250/B因其结构简单、故障率低，在某些老旧设备维护、教学演示和逆向工程研究中仍具使用价值。

AM2716B-250/B主要用于需要非易失性程序存储的电子系统中，尤其是在早期的微型计算机、工业控制器、通信设备和测试测量仪器中广泛应用。其典型应用场景包括存储固件、启动引导代码（Bootloader）、设备配置参数以及小型应用程序代码。由于其2KB的存储容量适中，常被用于8位微处理器系统（如Intel 8080、Zilog Z80、Motorola 6800等）的程序存储扩展。在工业自动化领域，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的固定逻辑程序存储，确保断电后程序不丢失。此外，在电话交换系统、调制解调器、打印机控制器和数控机床中也常见其身影。
　　教育和科研机构常利用AM2716B-250/B进行数字电路、微机原理和存储器编程的教学实验，帮助学生理解EPROM的工作机制、地址译码、总线时序及编程流程。由于其物理擦除方式直观可见（通过石英窗口照射紫外线），非常适合用于演示非易失性存储器的基本概念。在维修和替代件供应方面，该芯片仍用于修复停产的老式电子设备，特别是在航空航天、军事装备和医疗仪器等对元器件寿命要求较高的领域。
　　尽管当前主流设计已转向更高密度、更低功耗的Flash存储器，但在一些对电磁干扰敏感或要求极高可靠性的环境中，使用经过验证的成熟器件如AM2716B-250/B反而更具优势。此外，其简单的接口协议和无需复杂驱动程序的特点，使其在资源受限的嵌入式系统中仍有一定的应用潜力。

MCM2716B-250/XC
　　TMS2716-250
　　MBM2716-25L