类型：双串联肖特基势垒二极管
　　极性：双串联
　　最大重复反向电压（VRRM）：22V
　　最大直流反向电压（VR）：22V
　　最大正向电流（IF）：500mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1.2A
　　最大正向电压（VF）：420mV @ 10mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 22V, 25°C
　　结温（Tj）：150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　通道数：2
　　工作温度范围：-65°C ~ +125°C

CMC50AFPB22GT的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降。在典型工作条件下，其正向电压仅为420mV左右，远低于普通硅二极管的700mV水平。这一低VF特性意味着在相同电流下功耗更低，有助于提升系统整体效率，尤其在电池供电设备中可延长续航时间。同时，由于没有少数载流子存储效应，肖特基二极管具备极快的开关速度，几乎不存在反向恢复时间（trr接近于零），因此非常适合高频开关电源、DC-DC转换器和高速信号整流等对响应速度要求高的场合。
　　另一个关键优势是其双串联内部连接结构。两个肖特基二极管以阳极至阴极的方式串联连接，形成一个单向通路，这种配置常用于需要提高总反向耐压能力或实现特定逻辑电平移位的电路中。例如，在I/O接口保护电路中，双串联结构可以提供更高的电压箝位阈值，增强对瞬态电压冲击的抵御能力。此外，该结构也有助于平衡热分布，避免单个二极管承受过大应力，提升长期运行可靠性。SOT-23封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），而且具有良好的散热性能和机械强度，适合回流焊和波峰焊工艺，广泛应用于智能手机、平板电脑、无线耳机、物联网模块等紧凑型电子产品中。
　　该器件的工作温度范围宽达-65°C至+125°C，能够在极端环境条件下稳定运行，满足工业级和汽车电子部分应用场景的需求。其最大反向漏电流控制在10μA以内（在22V偏置下），虽然相较于普通硅二极管略高，但在大多数应用中仍处于可接受范围。通过优化材料工艺和封装设计，Central Semiconductor成功将漏电流控制在合理水平，同时保持低VF和高速特性之间的良好平衡。此外，CMC50AFPB22GT通过了多项国际认证，符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保制造。制造商还提供了详细的SPICE模型和热阻参数，便于工程师进行电路仿真和热管理设计，从而加快产品开发周期。

CMC50AFPB22GT广泛应用于各类需要高效、快速整流和信号处理的电子系统中。在移动通信设备中，它常被用作射频前端模块的偏置电路中的整流元件，利用其低正向压降和高频响应特性，确保信号路径上的最小能量损失。在便携式消费电子产品如智能手机、智能手表和蓝牙耳机中，该器件多用于电池充电管理电路和USB接口的电源路径控制，起到防止反向电流和过压保护的作用。其小尺寸封装特别适合这些高度集成的设备，能够在有限的空间内实现多种功能。
　　在DC-DC转换器和同步整流拓扑中，CMC50AFPB22GT可用于辅助电源轨的整流环节，尤其是在低输出电压（如1.8V、3.3V）的应用中，低VF特性能够显著降低导通损耗，提高转换效率。此外，该器件也常见于LED背光驱动电路中，作为电流路径中的隔离二极管，防止多个LED串之间相互干扰。在数字逻辑电路中，它可以作为电平移位器或钳位二极管使用，限制输入/输出端口的电压摆幅，保护敏感IC免受静电放电（ESD）或电压尖峰的损害。
　　工业控制系统和传感器模块中也大量采用此类肖特基二极管阵列，用于电源去耦、瞬态抑制和信号调理。例如，在RS-232或CAN总线接口中，CMC50AFPB22GT可用于构建简单的电压箝位网络，配合TVS管共同应对浪涌和噪声干扰。此外，由于其良好的高温稳定性，该器件也可部署于车载信息娱乐系统或车身电子单元中，执行电源切换和防反接功能。总之，凭借其高集成度、小体积和优异的电气性能，CMC50AFPB22GT已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

MBR0520VCUTP
　　BAS40-04W-7-F
　　RB520S-40T1U
　　SS12-S
　　PMGJ220UPA