CMC30AFPB12GT 时间：2025/12/28 3:06:00 阅读：18

CMC30AFPB12GT是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，采用双共阴极配置，广泛应用于高频开关电源、整流电路和信号处理系统中。该器件基于肖特基势垒技术，具备低正向电压降和快速反向恢复特性，能够显著提升电源转换效率并减少热损耗。其封装形式为SOT-23（Small Outline Transistor），是一种小型化、轻薄型的三引脚塑料封装，适用于高密度印刷电路板布局。CMC30AFPB12GT在设计上优化了热性能与电气性能的平衡，能够在有限的空间内提供稳定的电流承载能力。该器件符合RoHS环保标准，并通过无卤素认证，适合用于消费类电子产品、便携式设备、计算机外围设备以及工业控制模块等对空间和能效要求较高的应用场景。由于其优异的高频响应能力和低漏电流表现，CMC30AFPB12GT也常被用于DC-DC转换器中的输出整流阶段或作为反向极性保护元件。

参数

型号：CMC30AFPB12GT
　　制造商：Central Semiconductor Corp
　　器件类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：300mA（每芯片）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1.25A（8.3ms单半波）
　　最大正向电压（VF）：450mV @ 150mA（典型值），650mV @ 300mA（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 25°C，30V；高温下可达500μA @ 125°C
　　反向恢复时间（trr）：≤ 5ns（典型值）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（TO-236AB）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　焊接温度（@距离本体1.6mm）：260°C，10秒最大

特性

CMC30AFPB12GT的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种金属-半导体接触机制消除了传统PN结中的少数载流子存储效应，从而实现了极短的反向恢复时间（trr ≤ 5ns）。这一特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗，提高整体电源系统的转换效率。同时，由于没有反向恢复电荷（Qrr）带来的电流尖峰，该器件有助于减少电磁干扰（EMI），简化滤波电路设计，提升系统稳定性。
　　该器件具有较低的正向导通压降，在150mA电流下典型值仅为450mV，即使在300mA满载条件下也保持在650mV以内。低VF意味着更少的功率损耗（P = VF × IF），从而降低了温升，提高了能源利用率，特别适合电池供电设备或对热管理敏感的应用场景。此外，双共阴极的内部连接方式使得两个二极管共享一个公共阴极端子，便于在同步整流拓扑或多路输出电源中进行并联或独立使用，提升了电路设计的灵活性。
　　CMC30AFPB12GT的SOT-23封装不仅体积小巧（约2.9mm × 1.3mm × 1.1mm），还具备良好的散热性能和机械强度，适用于自动化贴片生产线。其材料符合IPC/JEDEC标准，支持回流焊工艺，并能在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，确保在恶劣环境下的长期可靠性。器件通过AEC-Q101应力测试认证的可能性较高（需查证具体批次），因此也可用于部分汽车电子辅助系统中。总体而言，CMC30AFPB12GT是一款集高效、紧凑、可靠于一体的高性能肖特基二极管解决方案。

应用

CMC30AFPB12GT广泛应用于各类需要高效、快速开关响应的电子系统中。其主要应用领域包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等内部的DC-DC升压或降压转换电路，作为续流二极管或防倒灌二极管使用。在这些设备中，低正向压降有助于延长电池续航时间，而快速恢复特性则保障了开关电源在MHz级频率下的稳定运行。
　　在计算机及通信设备中，该器件可用于主板上的电压调节模块（VRM）、内存供电电路或USB接口的电源保护路径中，防止因插拔引起的电压反冲损坏主控芯片。此外，在LED驱动电路中，CMC30AFPB12GT可作为箝位二极管抑制电感反电动势，保护驱动IC免受高压冲击。
　　工业控制系统中的传感器信号调理电路、隔离电源反馈回路以及电机驱动H桥中的续流支路也是其典型应用场景。由于其具备良好的温度稳定性与抗噪声能力，适合部署于存在电磁干扰的复杂工况环境中。另外，在太阳能充电控制器、无线充电接收端、IoT节点电源管理单元中，该器件同样发挥着关键作用，帮助实现微型化与高能效的设计目标。