类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：共阴极双二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：750mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：12A
　　最大正向压降（VF）：550mV @ 375mA
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 40V
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装/焊盘：SMA (DO-214AC)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　湿度敏感等级（MSL）：1（无限）
　　无铅/符合RoHS：是

CM75MXUBP-13T采用先进的肖特基势垒技术，使其在低电压应用中表现出卓越的电学性能。其核心优势之一是极低的正向导通压降，通常在375mA电流下仅为550mV左右，显著低于传统硅PN结二极管的0.7V~1V压降水平。这一特性意味着在相同工作条件下，该器件产生的导通损耗更小，有助于提高电源转换效率，尤其适用于电池供电或对能效要求较高的便携式设备。此外，低VF还能减少热量积聚，降低散热设计复杂度，从而提升整个系统的可靠性。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间（trr）非常短，典型值仅为5纳秒。这使得CM75MXUBP-13T非常适合用于高频开关电源、DC-DC变换器和PWM控制电路中，能够有效抑制因慢速恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。同时，快速开关也减少了开关过程中的能量损耗，进一步优化了整体能效。
　　该器件集成两个独立的肖特基二极管于单一SMA封装内，形成共阴极结构，这种设计特别适用于全波整流、双路续流保护或双通道电压钳位应用。共阴极配置简化了PCB布局布线，节省空间，提高了功率密度。SMA封装具有良好的热传导性能和机械稳定性，支持回流焊和波峰焊工艺，适应现代高密度贴片生产工艺。此外，器件通过了严格的环境与可靠性测试，具备出色的抗湿性和长期工作稳定性，适用于各种严苛的应用环境。

CM75MXUBP-13T因其高效的整流性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多种电子系统中。在DC-DC转换器中，它常作为同步整流的辅助二极管或用于防止反向电流流动，提升转换效率。在开关模式电源（SMPS）中，该器件可用作续流二极管，在MOSFET关断期间提供电感电流路径，防止电压反冲损坏主开关元件。由于其低正向压降和快速恢复特性，特别适合用于高频工作的电源拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）和反激式（Flyback）转换器。
　　在电池供电设备中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，CM75MXUBP-13T可用于电源输入端的极性反接保护，确保即使用户错误连接电源极性也不会损坏内部电路。同时，也可用于多电源路径管理中的隔离二极管，防止不同电源之间的相互倒灌。
　　在信号处理和接口电路中，该器件可用于电压钳位和静电放电（ESD）保护，限制瞬态过电压对敏感IC的冲击。例如，在USB接口、音频线路或传感器输入端加入此类肖特基二极管，可以有效吸收瞬间高压脉冲，延长系统寿命。此外，在逆变器、电机驱动和LED驱动电路中，CM75MXUBP-13T也常作为续流或阻断二极管使用，保障电感负载安全切换。
　　工业控制和通信设备中，该器件同样发挥重要作用，如用于隔离数字信号线、实现逻辑电平转换或构建简单的OR-ing电源冗余结构。凭借其小型化封装和高可靠性，CM75MXUBP-13T成为现代高密度、高性能电子产品中不可或缺的基础元器件之一。

MBR7540-T1-F
　　SK34A
　　BAT54C-WT
　　RB751S40