型号：CM50TH-12E
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-247
　　漏源电压(Vdss)：1200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：50A
　　脉冲漏极电流(Idm)：200A
　　导通电阻(Rds(on))：0.38Ω（最大值，@Vgs=15V）
　　阈值电压(Vth)：5V ~ 7V
　　输入电容(Ciss)：6000pF（典型值，@Vds=25V）
　　输出电容(Coss)：280pF（典型值，@Vds=25V）
　　反向恢复时间(trr)：55ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到壳(Rth(j-c))：1.2°C/W
　　功率耗散(Pd)：350W（最大值）

CM50TH-12E具备出色的高压耐受能力和优良的导通特性，其1200V的漏源击穿电压使其适用于高压直流母线系统，如太阳能逆变器、工业电源模块和电动汽车充电设备等场景。该器件的Rds(on)典型值为0.38Ω，在同类高压MOSFET中处于较低水平，有效减少了导通损耗，提升了系统的整体效率。同时，由于采用了先进的平面栅极技术和场板结构设计，该MOSFET在高dv/dt条件下仍能保持良好的开关稳定性，减少误触发风险。
　　器件的栅极电荷（Qg）较低，通常在120nC左右，这意味着驱动电路所需提供的能量较小，从而可以使用更简单的栅极驱动器，降低系统成本并提高响应速度。此外，其输入电容和输出电容经过优化匹配，有助于减少开关过程中的振荡现象，提升EMI性能。CM50TH-12E还具备较强的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下提供一定的自我保护能力，延长器件寿命。
　　TO-247封装提供了较大的散热面积，结合低热阻特性（1.2°C/W），使得该器件即使在持续大电流工作状态下也能维持较低的结温，避免因过热导致的性能下降或损坏。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于极端环境条件下的应用。此外，其内部寄生二极管具有较快的反向恢复时间（trr=55ns），可在桥式电路中作为续流路径使用，但仍建议配合外部快恢复二极管以进一步优化性能。总体而言，CM50TH-12E是一款兼顾高耐压、低损耗与高可靠性的功率MOSFET，特别适合用于高性能开关电源与工业控制系统中。

CM50TH-12E主要应用于各类高电压、大电流的电力电子系统中。常见用途包括工业级开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、DC-DC升压/降压转换器以及逆变器系统，尤其是在太阳能光伏逆变器中，因其1200V的耐压能力可直接接入高压直流侧，简化电路拓扑结构。此外，该器件也广泛用于电机驱动系统，例如交流变频器和伺服驱动器，在这些应用中承担主开关元件的角色，实现高效的能量转换与精确的速度控制。在电动汽车充电桩中，CM50TH-12E可用于PFC（功率因数校正）级或DC输出级，满足高能效和高可靠性的设计需求。其优异的热性能和稳定的电气参数也使其适用于高频感应加热设备、电焊机电源以及LED大功率驱动电源等工业与商业照明领域。由于具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，该器件还可用于恶劣环境下的军用或轨道交通电源系统。总之，凡涉及高压、高效率、高可靠性的功率切换场景，CM50TH-12E均是一个值得考虑的关键元器件选择。

STGF5NC120D, FGA60N120ANTD, IRGPC50B