K9WAG08U1B-PCBO 是三星(Samsung)推出的一款基于 NAND Flash 技术的存储芯片,主要应用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、USB 存储设备和消费类电子产品中。该芯片采用先进的制程工艺制造,具备高容量、高速度和低功耗的特点,能够满足现代数据存储的需求。
类型:NAND Flash
容量:8GB (64Gigabit)
接口:Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V / 3.3V
封装形式:eMMC 5.1 标准封装
传输速率:最高可达 400MB/s
工作温度范围:-25°C 至 +85°C
引脚数:63 球 (FBGA)
尺寸:11.5mm x 13mm x 1.2mm
K9WAG08U1B-PCBO 具有以下显著特性:
1. 高性能:采用 Toggle DDR 2.0 接口协议,提供更高的数据传输速度,适合需要快速读写的应用场景。
2. 大容量:单颗芯片即可实现 8GB 的存储容量,有效节省 PCB 空间并降低设计复杂性。
3. 低功耗设计:支持多种省电模式,包括深度掉电模式(Deep Power Down),从而延长电池供电设备的续航时间。
4. 可靠性:内置 ECC(错误校正码)引擎,提高数据存储的准确性与可靠性。
5. 广泛兼容性:遵循 eMMC 5.1 规范,兼容主流主控芯片,便于集成到各种硬件平台。
6. 宽温范围:支持工业级温度范围 (-25°C 至 +85°C),确保在恶劣环境下依然稳定运行。
K9WAG08U1B-PCBO 主要应用于以下领域:
1. 嵌入式系统:如工业控制设备、网络通信设备等,为这些系统提供大容量、高性能的存储解决方案。
2. 消费类电子:例如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的内部存储单元。
3. 固态硬盘(SSD):作为 SSD 的核心存储介质之一,用于提升存储性能。
4. USB 存储设备:广泛应用于 U 盘、移动硬盘等外置存储产品中。
5. 物联网(IoT)设备:为智能硬件提供高效的数据存储能力。
KLMAG2GEAJM-EDL1, K9WBG08U5M, K9WBGY8U1C