型号：CM50AD38-12H
　　类型：IGBT模块（双管）
　　集电极-发射极电压（Vces）：1200V
　　集电极电流（Ic）@25°C：50A
　　集电极电流（Ic）@100°C：25A
　　栅极-发射极电压（Vge）：±20V
　　饱和压降（Vce(sat)）@Ic=50A, Vge=15V：约1.75V
　　开关频率：典型值≤20kHz
　　反向恢复时间（trr）：≤65ns
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　隔离电压（Viso）：2500VAC / 1分钟
　　热阻（Rth(j-c)）：约0.45°C/W
　　封装形式：EasyPIM 或 类似DIP模块封装

CM50AD38-12H具备卓越的电气性能和热管理能力，其核心IGBT芯片采用了第三代沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）技术，有效降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体能效。该模块在导通状态下表现出较低的饱和压降（Vce(sat)），这不仅减少了静态功耗，还显著改善了系统的热分布，有助于延长元器件寿命。同时，其快速开关特性使得在高频PWM调制下依然能够维持较高的转换效率，特别适合用于需要精确控制输出波形的应用场景，如伺服驱动器和光伏逆变器。
　　该模块内置的续流二极管采用超快软恢复技术，具有极短的反向恢复时间（trr）和低反向恢复电荷（Qrr），有效抑制了换流过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的可靠性和稳定性。二极管的软恢复特性还能减少对栅极驱动电路的应力冲击，避免误触发现象的发生。
　　在封装方面，CM50AD38-12H采用陶瓷基板（如Al2O3）结合铜底板的DBC（Direct Bonded Copper）工艺，实现了高效的热传导路径，使热量能够迅速从芯片传递至外部散热器。模块的整体结构具备良好的机械强度和抗热循环能力，能够在频繁启停或负载波动大的环境中长期稳定运行。此外，其绝缘性能优异，隔离电压高达2500VAC，满足IEC60747-7等国际标准要求，适用于对安全等级有较高需求的工业控制系统。
　　为了提升系统设计的灵活性，CM50AD38-12H提供了清晰的引脚定义和对称布局，便于PCB布线和多模块并联使用。所有金属接触面均经过镀镍处理，增强了抗氧化和腐蚀的能力，保证长期连接的可靠性。模块还支持负温度系数的温度监测功能，可通过外接NTC热敏电阻实时监控内部结温，实现过温保护和智能调速控制。
　　综合来看，CM50AD38-12H是一款集高效、可靠、紧凑于一体的IGBT功率模块，凭借其先进的芯片工艺、稳健的封装设计和全面的保护机制，成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件之一。

CM50AD38-12H广泛应用于各类中等功率电力电子变换设备中。在工业自动化领域，常被用于通用变频器和伺服驱动器中，作为主逆变桥的核心开关元件，实现对交流电机的精准调速与转矩控制。其高开关频率和低损耗特性有助于提高控制精度并降低系统温升，从而提升整机效率和运行稳定性。
　　在可再生能源系统中，该模块适用于单相或三相太阳能并网逆变器，承担DC/AC能量转换任务。其快速响应能力和良好的动态性能使其能够适应光照变化带来的输入波动，确保最大功率点跟踪（MPPT）算法的有效执行，并满足电网接入的谐波标准要求。
　　此外，CM50AD38-12H也常见于不间断电源（UPS）系统中，特别是在在线式UPS的逆变单元中发挥关键作用。在此类应用中，它需在市电中断时迅速切换至电池供电模式，并持续提供纯净稳定的正弦波输出，保障关键负载的安全运行。
　　在电焊机、感应加热设备和高频电源等工业加热类装置中，该模块可用于构建串联谐振或并联谐振逆变电路，产生高频交变磁场以实现非接触式加热。其耐高温特性和抗浪涌能力非常适合这类瞬态负载较大的应用场景。
　　其他潜在应用还包括电动汽车充电模块、储能系统双向变流器（PCS）、空调变频控制器以及特种电源等领域。由于其具备良好的互换性和兼容性，CM50AD38-12H也可作为老旧设备升级替换的理想选择，帮助客户提升系统性能而不必重新设计整个功率架构。

SKM50GB12T4
　　FF50R12KS4
　　MG50Q2YS50
　　SEM50MC12T