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CM4532150KSB 发布时间 时间:2025/10/8 9:39:09 查看 阅读:3

CM4532150KSB是一种多层陶瓷电容器(MLCC),由知名制造商生产,广泛应用于各类电子设备中。该器件属于表面贴装型电容,采用标准的4532尺寸封装(即1812英制尺寸,4.5mm x 3.2mm),适合在空间受限但需要较高电容值和电压额定值的应用场景中使用。CM4532150KSB的标称电容值为15pF,容差为±10%(代号K),额定电压通常为50V或更高,具体依据制造商规格而定。该电容器采用稳定的C0G(NP0)电介质材料,具备极佳的温度稳定性、低损耗和几乎为零的电容随温度、电压和时间的变化,因此特别适用于高频电路、射频(RF)匹配网络、振荡器、滤波器以及对稳定性要求极高的模拟信号路径中。由于其优异的电气性能和可靠性,CM4532150KSB常被用于通信设备、工业控制系统、医疗仪器和汽车电子等领域。此外,该器件符合RoHS环保要求,并具备良好的抗湿性和焊接耐热性,能够适应回流焊工艺,确保在现代自动化贴片生产线上的高良率和长期可靠性。

参数

型号:CM4532150KSB
  封装尺寸:4532(1812)
  电容值:15pF
  容差:±10%
  电介质材料:C0G(NP0)
  额定电压:50V DC
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  温度特性:0±30ppm/°C
  绝缘电阻:≥10000MΩ 或 R×C ≥ 500S
  最大厚度:≤2.0mm
  端电极材料:镍阻挡层/锡外涂层
  产品类别:表面贴装多层陶瓷电容器
  应用等级:工业级

特性

CM4532150KSB所采用的C0G(NP0)电介质是目前最稳定的陶瓷材料之一,能够在整个工作温度范围内保持电容值的高度稳定,其变化不超过±30ppm/°C,这意味着在-55°C到+125°C的极端温度条件下,电容值不会发生显著漂移。这种卓越的温度稳定性使其成为高精度定时电路、参考振荡器和射频调谐电路中的理想选择。此外,C0G材料具有极低的介电损耗(通常tanδ ≤ 0.1%),这保证了在高频应用下仍能维持高Q值,减少能量损耗,提升系统效率。
  该电容器的结构设计采用了多层交错电极技术,有效降低了等效串联电感(ESL),从而提升了自谐振频率,使其能够在GHz级别的高频环境下正常工作。这对于现代无线通信系统(如Wi-Fi、蓝牙、蜂窝模块)中的阻抗匹配网络至关重要。同时,其低寄生参数也减少了信号失真和相位噪声,有助于提高整体系统性能。
  CM4532150KSB具备良好的直流偏压特性,在额定电压范围内施加直流偏置时,其电容值几乎不发生变化,这一点与X7R、Y5V等高介电常数材料有本质区别。因此,在需要精确电容值维持的场合,如LC滤波器、PLL环路滤波器中,它表现出明显优势。
  机械方面,该器件具有较强的抗弯曲和抗热冲击能力,配合优化的端电极设计,可有效防止因PCB弯曲或热循环引起的裂纹失效。其端头结构通常采用铜内电极、镍阻挡层和锡外涂层,不仅增强了焊接可靠性,还兼容无铅回流焊工艺,满足现代绿色制造的需求。

应用

CM4532150KSB因其出色的电气稳定性和高频性能,被广泛应用于对信号完整性和长期稳定性要求较高的电子系统中。在射频和微波电路中,它常用于LC谐振回路、天线匹配网络、巴伦(Balun)电路以及低噪声放大器(LNA)输入端的耦合与滤波,确保信号传输的高效与稳定。在高频振荡器电路(如VCXO、TCXO、SAW振荡器)中,该电容作为关键元件参与频率设定,其极低的温度系数可显著降低频率漂移,提高时钟源的精度。
  在通信基础设施领域,包括基站、光模块、路由器和交换机中,CM4532150KSB用于高速信号通道的旁路和去耦,特别是在5G射频前端模块中,用于偏置馈电和阻抗调节。其稳定的电容值确保了在不同环境温度下仍能维持一致的传输特性,避免误码率上升。
  在工业控制和测量仪器中,该器件用于精密模拟前端(AFE)、ADC/DAC参考电压滤波、传感器信号调理电路等,保障高分辨率数据采集系统的准确性。此外,在汽车电子应用中,如ADAS系统、车载信息娱乐系统和动力总成控制单元,CM4532150KSB凭借其宽温特性和高可靠性,能够适应严苛的车载环境,抵抗振动、湿度和温度循环的影响。
  医疗电子设备(如超声成像仪、心电监护仪)也大量使用此类高稳定性电容,以确保诊断信号的保真度。总之,凡是对电容稳定性、高频响应和长期可靠性有严格要求的场合,CM4532150KSB都是一个优选方案。

替代型号

GRM55DC71H150KA12D
  CL21A150KBANNNC
  C2012X5R1H150K

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