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CM450DX-24A 发布时间 时间:2025/9/29 14:10:15 查看 阅读:7

CM450DX-24A是一款由Mitsubishi Electric(三菱电机)生产的高功率IGBT模块,广泛应用于工业驱动、电源转换和电机控制等领域。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,采用先进的封装技术,具有优异的热性能和可靠性。CM450DX-24A属于第六代Trench Gate Field Stop IGBT技术,具备低导通压降和低开关损耗的特点,适合在中等频率下高效运行。该模块额定电压为1200V,额定电流为450A,适用于三相逆变器拓扑结构,常用于大功率交流驱动系统。其绝缘底板设计便于安装散热器,确保在高负载条件下稳定工作。模块内部采用压接式端子或焊接引线连接,提高了机械强度和电气连接的可靠性。此外,CM450DX-24A内置NTC温度传感器,可用于实时监测模块温度,实现过热保护功能,提升系统安全性。

参数

型号:CM450DX-24A
  制造商:Mitsubishi Electric
  器件类型:IGBT模块
  最大集电极电流(Ic):450A
  峰值集电极电流(Icp):900A
  集射极击穿电压(BVCES):1200V
  栅射极电压(VGES):±20V
  工作结温范围(Tj):-40℃ 至 +150℃
  存储温度范围(Tstg):-40℃ 至 +125℃
  开通延迟时间(td(on)):典型值 0.35μs
  关断延迟时间(td(off)):典型值 1.8μs
  正向导通压降(VCE(sat) @ Ic=450A, VGE=15V):约 2.1V
  二极管正向压降(VF):约 2.0V
  热阻(Rth(j-c)):约 0.11℃/W
  封装形式:2-in-1 硬驱动型模块
  是否集成NTC:是

特性

CM450DX-24A采用三菱电机第六代IGBT芯片技术,该技术结合了深沟槽栅极结构与场截止层设计,显著降低了通态损耗和开关损耗。这种优化的芯片结构使得模块在保持高耐压能力的同时,实现了更低的VCE(sat),从而减少导通期间的能量损耗,提高整体能效。
  模块内部为2-in-1拓扑结构,即包含一对互补的IGBT单元(一个上桥臂和一个下桥臂),适用于半桥或全桥逆变电路。每个IGBT单元都配有快速恢复二极管作为续流元件,二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)和软恢复特性,有效抑制了换流过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI)。
  该模块采用高性能陶瓷基板(如Al2O3或AlN)和先进的焊接工艺,确保良好的热传导性和长期可靠性。其底部为金属绝缘基板,可直接安装于散热器上,实现高效的热管理。模块的热阻Rth(j-c)仅为约0.11℃/W,表明其具备出色的散热能力,适合长时间高负荷运行。
  CM450DX-24A支持直接驱动方式,无需复杂的栅极驱动电路即可实现稳定工作,简化了系统设计。其栅极阈值电压适中,抗噪声能力强,减少了误触发的风险。同时,模块内部集成NTC热敏电阻,能够实时反馈芯片温度,便于控制系统实施温度保护和动态功率调节。
  此外,该模块通过了严格的质量认证和可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温栅极偏置(HTGB)和温度循环试验,确保在恶劣工业环境下仍能稳定运行。其坚固的封装结构也增强了抗振动和抗冲击能力,适用于风力发电、轨道交通、工业变频器等高要求应用场景。

应用

CM450DX-24A广泛应用于各类大功率电力电子设备中,尤其是在需要高效能量转换和精确电机控制的场合。其主要应用领域包括工业用交流变频器,用于驱动大功率异步电机或同步电机,实现节能调速控制。在此类系统中,该模块作为逆变桥臂的核心开关元件,承担直流到交流的转换任务,其低损耗特性有助于提升整机效率。
  在不间断电源(UPS)系统中,CM450DX-24A可用于DC/AC逆变级,提供稳定的正弦波输出,保障关键负载的持续供电。由于其具备高电流能力和良好的动态响应性能,特别适合应对突加负载或短时过载工况。
  该模块还可用于大功率开关电源、电焊机电源、感应加热装置以及太阳能逆变器等设备中。在新能源领域,它也被应用于部分风电变流器的网侧或机侧变换器中,处理数百千瓦级别的功率转换。
  此外,在轨道交通牵引系统或电动汽车充电桩中,CM450DX-24A凭借其高可靠性和强环境适应性,成为重要的功率开关选择。配合适当的驱动和保护电路,可构建出安全、高效的电力转换系统,满足严苛的工业标准和长期运行需求。

替代型号

CM600DY-24NFH
  SKM450GB128D
  FF450R12KE4

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CM450DX-24A参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™, NX
  • IGBT 类型-
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.6V @ 15V,450A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)450A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)68nF @ 10V
  • 功率 - 最大2840W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 配用BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
  • 其它名称835-1021