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CM3407DS-LF 发布时间 时间:2025/8/19 9:26:12 查看 阅读:34

CM3407DS-LF 是一款由 Comchip Technology 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和开关应用。这款晶体管采用了先进的沟槽式 MOS 技术,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。CM3407DS-LF 采用 SOP-8 封装,适合用于紧凑型设计,并且符合 RoHS 标准,不含铅和卤素,适用于环保电子产品。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(Id):6.5A
  漏极-源极击穿电压(Vds):30V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):28mΩ(典型值)
  功率耗散:3W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOP-8

特性

CM3407DS-LF 具备多项优异特性,使其在各种电子设备中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))为 28mΩ,有助于降低功率损耗,提高能效。这在高电流应用中尤为重要,因为低 Rds(on) 可以减少发热,延长设备使用寿命。
  其次,该 MOSFET 支持高达 6.5A 的漏极电流和 30V 的漏极-源极电压,适用于中高功率应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。此外,其 ±20V 的栅极-源极电压耐受能力确保了在高压环境下的稳定运行,减少了栅极击穿的风险。  另外,该器件具有良好的热稳定性和抗静电能力,能够在苛刻的工业环境中保持稳定运行。同时,符合 RoHS 标准的环保设计使其适用于各类绿色电子产品和环保认证要求较高的项目。

应用

CM3407DS-LF MOSFET 广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理系统、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制电路、LED 驱动电路以及工业自动化控制系统。
  在电源管理方面,CM3407DS-LF 常用于同步整流器、负载开关和电压调节模块,其低导通电阻特性有助于提高电源转换效率,减少发热。
  在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可作为主开关元件,实现高效的升压或降压转换。由于其高开关速度和低损耗特性,非常适合高频开关应用。
  在电池管理系统中,CM3407DS-LF 可用于电池充放电控制,确保系统安全运行。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在电动工具、电动车和储能系统中表现优异。
  此外,该器件也常用于 LED 驱动电路中,作为恒流控制开关,确保 LED 的稳定亮度和长寿命。在工业自动化控制中,CM3407DS-LF 可用于继电器替代、电机驱动和传感器信号切换等场景。

替代型号

Si2302DS, AO3400A, FDS6675, IRF7404

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