CM3407DS-LF 是一款由 Comchip Technology 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和开关应用。这款晶体管采用了先进的沟槽式 MOS 技术,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。CM3407DS-LF 采用 SOP-8 封装,适合用于紧凑型设计,并且符合 RoHS 标准,不含铅和卤素,适用于环保电子产品。
类型:N 沟道 MOSFET
漏极电流(Id):6.5A
漏极-源极击穿电压(Vds):30V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):28mΩ(典型值)
功率耗散:3W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOP-8
CM3407DS-LF 具备多项优异特性,使其在各种电子设备中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))为 28mΩ,有助于降低功率损耗,提高能效。这在高电流应用中尤为重要,因为低 Rds(on) 可以减少发热,延长设备使用寿命。
其次,该 MOSFET 支持高达 6.5A 的漏极电流和 30V 的漏极-源极电压,适用于中高功率应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。此外,其 ±20V 的栅极-源极电压耐受能力确保了在高压环境下的稳定运行,减少了栅极击穿的风险。
CM3407DS-LF MOSFET 广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理系统、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制电路、LED 驱动电路以及工业自动化控制系统。
在电源管理方面,CM3407DS-LF 常用于同步整流器、负载开关和电压调节模块,其低导通电阻特性有助于提高电源转换效率,减少发热。
在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可作为主开关元件,实现高效的升压或降压转换。由于其高开关速度和低损耗特性,非常适合高频开关应用。
在电池管理系统中,CM3407DS-LF 可用于电池充放电控制,确保系统安全运行。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在电动工具、电动车和储能系统中表现优异。
此外,该器件也常用于 LED 驱动电路中,作为恒流控制开关,确保 LED 的稳定亮度和长寿命。在工业自动化控制中,CM3407DS-LF 可用于继电器替代、电机驱动和传感器信号切换等场景。
Si2302DS, AO3400A, FDS6675, IRF7404