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STF7N60M2 发布时间 时间:2025/7/22 15:01:39 查看 阅读:6

STF7N60M2 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高电压功率MOSFET晶体管,属于STF系列的一部分。该器件采用先进的MESH OVERLAY技术,具有优异的导通电阻与开关性能平衡,适用于多种电源转换和电机控制应用。STF7N60M2 是一款N沟道增强型MOSFET,额定漏源电压为600V,最大漏极电流为7A,适用于高效率的电源转换器和逆变器。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):7A(在25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为1.2Ω(最大值可能为1.5Ω)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):通常在2V至4V之间
  最大功耗(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220、D2PAK等

特性

STF7N60M2 MOSFET采用意法半导体的先进MESH OVERLAY技术,提供较低的导通损耗和开关损耗,同时具备良好的热稳定性。其主要特性包括:
  ? 优异的Rds(on)特性:低导通电阻可以减少导通损耗,提高系统效率,同时降低发热量,有助于提高整体系统的可靠性。
  ? 高速开关能力:该器件具有较低的输入电容和输出电容,有助于实现快速的开关动作,从而减少开关损耗,适用于高频应用。
  ? 高击穿电压能力:600V的漏源击穿电压使其适用于高电压环境,例如开关电源(SMPS)、电机控制和照明系统。
  ? 热阻优化:该器件的封装设计优化了热阻,提高了散热能力,使器件在高负载条件下也能稳定运行。
  ? 高可靠性设计:STF7N60M2 具备良好的短路耐受能力和抗雪崩能力,能够在恶劣的工作条件下保持稳定,提高系统的安全性。
  ? 宽工作温度范围:支持-55°C至+150°C的温度范围,适合工业级和汽车级应用。

应用

STF7N60M2 广泛应用于多种功率电子系统中,主要包括:
  ? 开关电源(SMPS):如AC/DC电源适配器、服务器电源和工业电源,用于提高电源转换效率并减小体积。
  ? 电机驱动:适用于直流电机、步进电机或无刷电机的控制电路,尤其是在需要高效率和紧凑设计的场合。
  ? 逆变器系统:包括太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和电动工具中的逆变模块。
  ? 照明系统:如LED驱动电源、电子镇流器等,用于提高系统的稳定性和能效。
  ? 电池充电器:用于各种电池充电设备中,支持高效率和安全充电。
  ? 家用电器:如微波炉、洗衣机、冰箱压缩机等家电中的功率控制模块。

替代型号

STF7N60M2 可以被 STF8NM60ND、STF10N60M2 或 STF7N62L 替代,这些型号在电气性能和封装上具有相似性,适用于相同的电路设计。

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STF7N60M2参数

  • 现有数量1,990现货
  • 价格1 : ¥11.85000管件
  • 系列MDmesh? II Plus
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)950 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)271 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FP
  • 封装/外壳TO-220-3 整包