产品型号：CM3225560KLB
　　电容值：56pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：3225（公制：3.2mm x 2.5mm）
　　介质材料：C0G / NP0
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率相关）
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 时间常数 ≥1000S
　　耐压能力：1.5倍额定电压持续1分钟无击穿或闪络
　　结构类型：多层片式陶瓷电容器（MLCC）
　　端接结构：三层电极（Ni/Sn镀层）
　　焊接方式：适用于回流焊（最高峰值温度260°C）

CM3225560KLB所采用的C0G（也称NP0）介质材料赋予其卓越的电气稳定性，这是其最核心的优势之一。C0G是一种Ⅰ类陶瓷介质，具有近乎线性的温度系数，通常在-55°C到+125°C的工作温度范围内电容变化不超过±30ppm/°C，这意味着无论环境温度如何波动，其电容值几乎不会发生可察觉的变化。这一特性使其非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡电路、滤波器、谐振匹配网络以及精密定时电路中。
　　该电容器具备出色的高频响应能力，由于其低等效串联电感（ESL）和极低的等效串联电阻（ESR），能够在数百MHz甚至GHz级别的高频环境下保持良好的阻抗特性，有效发挥去耦和旁路功能，抑制电源噪声和信号干扰。此外，C0G材料还表现出优异的电压系数表现，即在施加直流偏置电压时电容值几乎不下降，这与X7R、X5R等Ⅱ类介质形成鲜明对比。
　　机械结构方面，CM3225560KLB采用高强度陶瓷体和柔性端子设计（部分版本支持），能够有效抵抗因PCB弯曲或热应力引起的开裂问题，提升产品在恶劣环境下的长期可靠性。其三层端电极结构（铜内电极-镍阻挡层-锡外涂层）不仅保证了良好的可焊性和抗氧化能力，还能兼容自动化贴片工艺，提高生产效率。整体设计符合AEC-Q200汽车级可靠性标准的部分测试项目，虽非专为汽车电子设计，但在严苛环境中仍表现出稳定的性能。

CM322560KLB因其高稳定性与低损耗特性，被广泛应用于多个高要求电子领域。在射频（RF）电路中，常用于LC调谐电路、阻抗匹配网络、带通滤波器以及天线前端匹配，确保信号传输的精确性与高效性。在高速数字系统中，如微处理器、FPGA和ASIC的电源引脚附近，该电容可作为高频去耦使用，快速响应瞬态电流需求，降低电源轨道上的电压波动，从而保障系统稳定运行。
　　在精密模拟电路中，例如运算放大器反馈回路、有源滤波器、ADC/DAC参考电压旁路等场景，CM3225560KLB能够提供稳定的电容值，避免因温度或电压变化导致的增益漂移或相位失真。此外，在医疗设备、测试测量仪器、工业传感器接口等对长期稳定性和精度要求较高的设备中，该型号也被优先选用。
　　通信基础设施如基站、光模块、路由器和交换机中同样大量使用此类C0G电容，以确保信号完整性和系统抗干扰能力。同时，其符合RoHS和无卤素标准，适用于出口型电子产品和绿色环保项目。得益于3225小型化封装，在空间受限的便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中也有广泛应用。

GRM1885C1H560JA01D
　　CC0603JRNPO9BN560
　　CL21A560JBANNNC
　　C2012JB1H560J